透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測量系統(tǒng)-樣品桿，透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測量系統(tǒng)是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊，實現(xiàn)低溫電學(xué)測量或全溫區(qū)測量功能。

性能指標(biāo)
 

透射電子顯微鏡指標(biāo)：

● 兼容型號電鏡及極靴；

● 單傾可選高傾角版本；

● 可選雙傾版本，β角傾轉(zhuǎn)±25°（同時受限于極靴）；

● 測量電極數(shù)可選。

電學(xué)測量指標(biāo)：

● 包含一個電流電壓測試單元；

● 電壓輸出大±200 V，小±100 nV；

● 電流測量大±1.5 A，小100 fA；

● 恒壓或者恒流模式；

● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測量系統(tǒng)-樣品桿

低溫指標(biāo)：

● 兼容MEMS加熱及電學(xué)芯片；

● 全溫區(qū)測量，溫度范圍：85 K- 380 K；

● 控溫穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 K；

● 溫度連續(xù)可控。