Clevios導(dǎo)電聚合物的涂覆

Clevios™分散體和配方可通過多種工藝進(jìn)行涂覆或印刷，例如旋涂、狹縫涂布、噴涂、浸涂、凹版印刷、絲網(wǎng)印刷和噴墨打印

等。我們?yōu)槟承┕に囂峁┘从眯陀湍驖{料配方，同時(shí)我們的技術(shù)服務(wù)團(tuán)隊(duì)能夠?yàn)槠渌枰M(jìn)行產(chǎn)品改進(jìn)的工藝提供支持。

在實(shí)驗(yàn)室中，旋涂是將Clevios導(dǎo)電聚合物沉積為一道薄涂層的常見方式。接下來將對(duì)Clevios導(dǎo)電聚合物的旋涂工藝進(jìn)行詳細(xì)介

紹:

通過旋涂工藝沉積到氧化銦錫(ITO)玻璃表面的Clevios™P導(dǎo)電聚合物涂層的厚度由以下幾個(gè)參數(shù)確定:

旋轉(zhuǎn)速度

加速度

旋轉(zhuǎn)時(shí)間

旋涂器的設(shè)計(jì)

基材尺寸和表面

■基材表面預(yù)處理的質(zhì)量

氧化銦錫(ITO)玻璃的預(yù)處理對(duì)于Clevios™P導(dǎo)電聚合物能否在該基材表面均勻分散影響極大。因此，并沒有通用的規(guī)則來

確定旋轉(zhuǎn)速度與涂層厚度之間的關(guān)系。為了描繪出典型的旋轉(zhuǎn)-厚度示例曲線，我們將各種Clevios™P系列的導(dǎo)電聚合物旋涂

在涂有氧化銦錫(ITO)的玻璃基材表面。結(jié)果在旋涂機(jī)(帶3”Gyrset罩的Carl Suss®RC 8)上顯示。首先將尺寸為50 mmx

50 mm的涂有氧化銦錫(ITO)的玻璃基材采用濕洗法洗凈，然后將其表面置于紫外線/臭氧腔室中進(jìn)行活化處理，時(shí)間為15

分鐘。通過Pasteur移液管將約1-2毫升的Clevios™P系列導(dǎo)電聚合物沉積到玻璃基材表面。進(jìn)行旋涂工藝前，手動(dòng)將該聚合物

分散體分散到整個(gè)基材表面。

旋涂工藝結(jié)束后，將濕膜置于加熱板上進(jìn)行熱風(fēng)烘烤。推薦的烘烤溫度和烘烤時(shí)間:Clevios™PAI4083、Clevios™ P

CH8000等電子產(chǎn)品用導(dǎo)電聚合物及Clevios™HIL系列:在200℃的溫度下烘烤5分鐘;Clevios™PH 1000、Clevios™ HIL-

E、Clevios™F ET或Clevios™HIL 8等高導(dǎo)電性產(chǎn)品:在130C的溫度下烘烤15分鐘。

其他提示:

如果Clevios™ P分散體在涂覆過程中出現(xiàn)濕潤現(xiàn)象，可在其中加入不超過10%(重量比)的異丙醇。此外，加入表面

活性劑也能改善潤濕性，尤其是在疏水表面。

在OLED應(yīng)用中，Clevios™P導(dǎo)電聚合物的涂層厚度通常在50-80nm之間。涂層厚度應(yīng)通過實(shí)驗(yàn)不斷進(jìn)行優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)透過率和成膜質(zhì)量。如有需要，Clevios™HIL系列大多數(shù)產(chǎn)品都可提供n數(shù)據(jù)和k數(shù)據(jù)。

所有剩余/未使用的分散體在涂覆結(jié)束后都應(yīng)倒出設(shè)備，以避免干燥后的分散體造成腐蝕和進(jìn)一步的顆粒污染。

基材的處理

在沉積Clevios™導(dǎo)電聚合物前對(duì)基材進(jìn)行的預(yù)處理

干凈、尤其是不含油脂的表面是確保Clevios™導(dǎo)電聚合物涂層均勻沉積在玻璃基材、透明氧化層(TCO)或塑料薄膜表面的先

決條件。

采用濕洗法清潔玻璃或TCO基材的步驟:

使用無絨紙巾和丙酮溶劑擦拭基材，以清除劃割時(shí)粘附的玻璃顆粒

?在60°℃的溫度下，將基材置于含普通玻璃清洗劑(如3%Mucasol®，德國Kalle公司)的去離子水中，使用超聲波清洗

10分鐘

。使用去離子水沖洗

在60°℃的溫度下，將基材置于去離子水中，使用超聲波清洗10分鐘

使用去離子水沖洗

將基材置于乙醇溶劑中，使用超聲波清洗5分鐘

?在40°C的溫度下，將基材置于丙酮溶劑中，使用超聲波清洗5分鐘

應(yīng)重復(fù)以上清洗步驟直到基材表面不含任何渾濁雜質(zhì)。用于清洗基板的所有溶劑都應(yīng)符合PA質(zhì)量。

通過等離子體、紫外線/臭氧或電暈放電工藝對(duì)表面進(jìn)行活化處理，可以顯著改善Clevios™導(dǎo)電聚合物在玻璃、TCO和PET薄膜

等各種基材表面的水滴角。

使用去離子水沖洗