CMP設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造工藝。它用于半導(dǎo)體工藝中，以平整因蝕刻、氧化膜生成、離子擴(kuò)散等引起的表面凹凸。 CMP 提供非常精確的平坦化，并有利于在平坦化表面上進(jìn)一步分層。選擇CMP設(shè)備時，需要考慮平坦化的精度、所使用的化學(xué)品和化學(xué)品以及硅片的加工速度。

我們將解釋CMP設(shè)備的工作原理。 CMP設(shè)備通常一次高速加工許多硅片，因此通常是大型設(shè)備。其組成部分包括旋轉(zhuǎn)臺、施加化學(xué)物質(zhì)的噴嘴和砂紙拋光部分等。此外，還有用于傳送硅片的機(jī)器人、拋光后的清潔部分和檢測部分等。

基本操作是從噴嘴將化學(xué)溶液或化學(xué)品噴射到硅片上，將砂紙等壓在硅片上，并通過高速旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)臺進(jìn)行拋光?；瘜W(xué)拋光目標(biāo)包括氧化膜、鎢布線和銅布線。在氧化膜的情況下，將氧化膜溶解在堿性溶液中并用相同組成的氧化硅進(jìn)行拋光。對于鎢布線來說，鎢表面經(jīng)過氧化，表面用氧化硅拋光。對于銅布線，將銅氧化后，制成復(fù)合物，并用氧化硅進(jìn)行拋光。

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