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目錄:廈門韞茂科技有限公司>>實驗室常用設備>>等離子體表面處理>> QBT-A雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)

雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)
  • 雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)
參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

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  • 其他品牌 品牌
  • QBT-A 型號
  • 生產(chǎn)商 廠商性質
  • 廈門市 所在地

更新時間:2024-08-22 12:58:51瀏覽次數(shù):900評價

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產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 100萬-150萬
應用領域 綜合
雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)是對ALD技術的擴展,通過等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅體物質的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時間,同時也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
    一、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)核心參數(shù):

    價格區(qū)間:100萬-200萬

    產(chǎn)地類別:國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

    襯底尺寸:Ф200mm

    工藝溫度:RT-500±1ºC

    前驅體數(shù):最大可包括3組等離子體反應氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應前驅體

    重量:300KG

    尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm

    均勻性:均一性<1%

    二、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)應用原理分析:

    原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術,具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。

    等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition,PEALD)是對ALD技術的擴展,通過等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅體物質的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時間,同時也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

    三、廈門韞茂科技有限公司為您提供參數(shù)、價格、型號、原理等信息,產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂,型號為QBT-A,價格為100萬-200萬RMB,更多相關信息可咨詢,公司客服電話7*24小時為您服務。

    四、主要技術參數(shù):


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     五、測試結果展示:

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