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| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
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850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管（不帶TEC）
筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍從400到1700 nm。為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線，我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用，探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。
產(chǎn)品特點
● 小光敏面大光敏面可選 (100µm to 25mm)
● 800nm to 1800nm 光譜響應(yīng)
● 高線性 > 10 dBm
● 可以定制透鏡組合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)
● 封裝方式可選(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)
引腳定義
產(chǎn)品應(yīng)用
● 激光功率計
● LED/LD老化診斷
● 光譜學(xué)
● LED/LD特性
● 眼睛安全激光檢測傳感器
產(chǎn)品規(guī)格 | |
探測材料 | Ge |
響應(yīng)波長 | 800 - 1800 nm |
峰值波長 | 1550 nm (Typ.) |
響應(yīng)度 | 0.85 A/W (Typ.) |
光敏面直徑 | 78.5 mm2 (?10mm) |
上升/下降沿時間 (RL = 50 Ohms, 10 V) | 500 ns / 500 ns (Typ.) |
NEP, Typical (1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
暗電流 (5 V) | 60 µA (Max.) |
電容(10 V) | 1800 pF (Max.) |
分流電阻 | 4000 Ohm (Typ.) |
封裝形式 | TO-9 |
最大額定值 | |
最大擊穿打壓 | 10 V |
操作溫度 | -55 to 60 °C |
存儲溫度 | -55 to 60 °C |
備注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有說明
2、NEP在光伏模式下
光譜響應(yīng)曲線：
推薦電路：
850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管（不帶TEC）
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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