SiO2/Si基單層二硫化鉬連續(xù)薄膜

中文名稱: CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鉬連續(xù)薄膜

英文名稱：monolayer continuous film of MoS2 on SiO2/Si  CVD

CAS號：1317-33-5

形態(tài)：薄膜

MoS2薄膜尺寸：約8 mm*8 mm

厚度：0.6～0.8nm

基底：SiO2/Si

氧化層：300nm

應用：CVD法制備的單層二硫化鉬連續(xù)薄膜，相比較鋰插層制備的單層二硫化鉬，具有缺陷少，層數可控，光學性質，是研究層數和熒光效應和制備器件的優(yōu)異材料。

保存條件：常溫干燥密封避光。

SiO2/Si基單層二硫化鉬連續(xù)薄膜

制備CVD氧化硅/硅基底上的單層二硫化鉬（MoS2）連續(xù)薄膜通常涉及一系列步驟，其中化學氣相沉積（CVD）是主要的制備方法。以下是一般的步驟：

基底準備： 使用硅（Si）基底，并在其表面形成一層氧化硅（SiO2）薄膜。這可以通過熱氧化或物理沉積等方法完成。

CVD沉積： 選擇合適的前體氣體，其中包括硫化物和鉬前體。這些氣體在CVD反應室中引入，并在SiO2/Si基底表面沉積單層二硫化鉬。反應的溫度和氣體流速等參數需要精確控制以確保高質量的MoS2薄膜的形成。

調控層厚： 通過調整CVD參數，如溫度、壓力和反應時間，可以控制MoS2薄膜的厚度。單層MoS2通常是由三層原子組成的二維結構。

后續(xù)處理： 可能需要進行后續(xù)的退火或其他處理步驟，以優(yōu)化薄膜的結構和性能。

表征： 對制備的MoS2薄膜進行表征，例如使用掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）和拉曼光譜等技術，以確認其結構和性質。

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.22.         

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