分辨率

1.2 nm @ 30 kV
  3.0 nm @ 1 kV
  2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1
  3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2

放大倍率

10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素)
  30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素)

電子光學(xué)系統(tǒng)

電子槍

ZrO /W 肖特基式電子槍

加速電壓

0.5 - 30 kV   (0.1 kV 步進(jìn))

著陸電壓

減速模式: 0.1 - 2.0 kV ＊1

最大束流

> 200 nA

探測(cè)器

低位二次電子探測(cè)器

低真空模式*2

真空范圍: 10 - 300 Pa

馬達(dá)臺(tái)

馬達(dá)臺(tái)控制

5 - 軸自動(dòng) (優(yōu)中心)

可動(dòng)范圍

X：0～100mm
  Y：0～50mm
  Z：3～65mm
  T：-20～90°
  R：360°

最大樣品尺寸

最大直徑: 200 mm
  最大高度: 80 mm

選配探測(cè)器

·           高分辨率頂位二次電子探測(cè)器＊1

·           高靈敏度低真空探測(cè)器 (UVD)

·           5分割半導(dǎo)體探測(cè)器 (PD-BSD)*3

·           能譜儀 (EDS)

·           波譜儀 (WDS)

·           背散射電子衍射探測(cè)器 (EBSD)