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南京淳寅嘉生物科技有限公司>>合肥科晶>>CVD/PECVD/ALD系統>> OTF-1200X-S-HPCVD坩堝(樣品臺)可移動型1200°C管

坩堝(樣品臺)可移動型1200°C管

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  • 坩堝(樣品臺)可移動型1200°C管
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參考價 面議
具體成交價以合同協議為準
  • 型號 OTF-1200X-S-HPCVD
  • 品牌 合肥科晶
  • 廠商性質 經銷商
  • 所在地 南京市
在線詢價 收藏產品

更新時間:2021-03-09 17:40:11瀏覽次數:353

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產品簡介

產地類別 國產 應用領域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產業(yè)
OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內移動(靠步進電機控制)的小型開啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設備工作溫度為1200℃。設備特點∶坩堝通過一步進電機控制爐管,按照設定程序移動,同時坩堝后端安裝一熱電偶(隨坩堝儀器移動),可實時監(jiān)測樣品的溫度,意味著可通過移動坩堝的位置,在爐體中準確找到實驗所需要的溫度,使得實驗準確度更高,重復性更強。此款設備可用于多種實驗

詳細介紹

高溫爐部分

爐體設計為開啟式,以便于更換爐管工作電源∶ 208.240 VAC,50/60Hz z功率為∶2KW

工作溫度∶1200℃(<1hr)連續(xù)工作溫度∶ 1100℃加熱區(qū)長度∶ 200m

恒溫區(qū)長度∶60mm(-1℃@1000℃)注∶由于測量里手段及外部環(huán)境的影響,測里結果可能會有偏差,此參數僅供參考不作為該設備的技術指標。您購買產品需要準確的恒溫區(qū)數據,請與我公司銷售人員

爐管∶ 高純石英管,尺寸50mm ODx44mmIDx450mmL)

溫度控制系統采用PID30段程序化控溫,其控溫精度為--1℃控溫儀表操作視頻設有過熱和斷偶保護熱電偶采用K型熱電偶
真空密封

采用KF結構密封法蘭,硅膠密封圈密封法蘭上安裝有一機械壓力表

右端法蘭與一個真空不銹鋼波紋管連接(不銹鋼波紋管伸縮幅度為150mm)真空度∶ 10-2Torr(用機械泵抽) 10-5Tor(用分子泵抽)

坩堝移動機構&PLC控制

一個直徑為14"的歐米伽鎧裝熱電偶(K型),通過法蘭伸入到爐管中,并可隨坩堝移動,可實時監(jiān)測樣品的實際溫度。

通過步進電機移動爐管內的坩堝(樣品臺),行程為100mm,移動精度為1mm

通過觸摸屏設定坩堝一定的距離和目標位置,坩堝移動速度為180mm min(更準的移動速度,可與本公司定制,需額外收費)

可觀察下圖,了解坩堝與熱電偶的安裝方法

加熱速率和冷卻速率

可通過移動樣品到已預加熱的爐體中來得到加熱速率,也可將樣品迅速移除高溫的爐體,來得到降溫速率的

降溫速率

加熱速率

10℃C/sec (950℃C-900℃); 10℃℃/sec (150℃.250℃);

[7℃/sec (900℃-850℃); 7℃/sec (250℃.350℃);

l℃/sec (850℃-750℃);℃/sec (350℃- 500℃);

2℃Csec(750℃-600℃C; B℃C/sec(6500℃.5s0℃);

1.5℃sec(600℃-500℃; 2℃/sec(550℃-650℃);

1℃C/e(500℃-400℃; 1℃C/sec(650℃-800℃);

0.5℃Csec400℃.300℃C);

0.5℃/sec(800℃-1000℃;

可選配件

可選購手動擋板閥(圖1)防腐型數顯真空計(圖4)

快速連接法蘭,以方便于放置樣品(圖2)

多路質量流量計控制的混氣系統,用于CVD和DVD實驗(圖5)

尺寸 
質保 
一年質保期,終生維護 (不含加熱元件、爐管和密封圈)
質量認證

 CE認證

所有電器元件(>24V)都通過UL /MET /CSA認證

注意事項

若客戶出認證費用,本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證

爐管內氣壓不可高于0.02MPa

由于氣瓶內部氣壓較高,所以向爐管內通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MP-0.1MPa,使用時會更加安全

當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態(tài),爐管內的氣壓需和大氣壓相,保持在常壓狀態(tài)

進入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊石英管的長時間使用溫度<1100℃

對于樣品加熱的實驗,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數,若氣壓表示數大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等)

應用

此款設備可用于多種實驗,以下列出了幾種實驗方法

RTE(快速熱蒸發(fā))∶蒸發(fā)料放在坩堝中,放入到爐體中心,基片放在樣品臺上,樣品臺與熱電偶相連接,然后將樣品臺移動到理想的位置(此位置溫度是實驗所需要的溫度)

HPCVD(混臺物理化學沉積);與RTE相似,但需配混氣系統,對反應氣體混臺并控制流量,同時也需設定蒸發(fā)料的位置(確定蒸發(fā)料的蒸發(fā)溫度)

水平布里奇曼(Bridgman)法來長晶體∶將樣品和籽晶放入到坩堝中,并將坩堝放入到爐體中心位置,然后設定坩堝移動速度,慢慢移動坩堝

 

 

一年質保期,終生維護 (不含加熱元件、爐管和密封圈)

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