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ALD原子層沉積系統(tǒng)

現(xiàn)場升級到可使用等離子體

從小晶片到200mm大晶片

適用于學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)、研發(fā)的熱和/或等離子體化學(xué)產(chǎn)品，可用于：

氧化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
氮化物：TiN, Si3N4
金屬： Ru, Pt

ALD應(yīng)用舉例：

納米電子學(xué)

高k柵極氧化物

存儲電容器絕緣層-銅連線間的高縱橫比擴散勢壘區(qū)

有機發(fā)光二極管和聚合物的無針孔鈍化層

鈍化晶體硅太陽能電池

應(yīng)用于微流體和MEMS的高保形涂層

納米孔結(jié)構(gòu)的涂層

生物微機電系統(tǒng)

燃料電池

直觀性強的的軟件提高性能

使用與牛津儀器的值得信賴的Plasmalab ®產(chǎn)品家族相同的軟件平臺， OpAL的程序驅(qū)動、多用戶級別、PC2000TM控制的軟件易于操作且可為快速ALD做相應(yīng)修改。

ALD原子層沉積系統(tǒng)                

牛津儀器向世界范圍內(nèi)的生產(chǎn)商和研發(fā)者提供沉積工藝解決方案的經(jīng)驗為我們提供了世界上強大沉積工藝庫和沉積工藝能力。以下是牛津儀器等離子技術(shù)可以提供的一些沉積工藝的一個范例。討論您的特定需求，我們專業(yè)的銷售和應(yīng)用工作人員將很高興幫助您選擇合適的沉積工藝和工具，以滿足您的需求。

電介質(zhì)

沉積SiO2—沉積二氧化硅

沉積SiN—沉積氮化硅

二氧化硅(SiO2)的反應(yīng)離子束濺射沉積(RIBD)技術(shù)

金屬氮化物

沉積HfN—沉積氮化鉿（遠程等離子體*輔助）

金屬氧化物

沉積Al2O3-沉積三氧化二鋁

高品質(zhì)光學(xué)鍍膜：二氧化硅，二氧化鈦，五氧化二鉭

二氧化鉿反應(yīng)離子束沉積（HfO2 RIBD）

沉積La2O3—沉積氧化鑭

離子束沉積VaO( 5 - x )--沉積氧化釩 Deposition

沉積TiO2—沉積二氧化鈦—離子束沉積

ZnO ALD（單熱型）—沉積氧化鋅原子層

沉積ITO—沉積銦錫氧化物—磁控濺射

金屬

濺射沉積Al—濺射沉積鋁

沉積Ru—沉積釕

其他

沉積a-Si—沉積非晶硅（等離子體增強化學(xué)氣相沉積）

等離子體增強化學(xué)氣相沉積和化學(xué)氣相沉積SiGe—沉積鍺硅

沉積PolySi—沉積多晶硅

沉積SiC—沉積碳化硅

等離子體增強化學(xué)氣相沉積DLC—沉積類金剛石膜