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 一. 系統(tǒng)描述

本設備為單室高真空系統(tǒng)，它主要由真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、報警系統(tǒng)等組成。

    真空系統(tǒng)由一個分子泵（抽速600升/秒）+ 一個直聯(lián)旋片式真空泵（抽速9升/秒）組成抽氣系統(tǒng), 將真空室抽至高真空, 分子泵與真空室之間裝有一個電動可調(diào)節(jié)閥電動插板閥, 直聯(lián)旋片式真空泵為真空室予抽泵及分子泵前級泵。直聯(lián)旋片式真空泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不銹鋼硬管及波紋管連接, 并裝有電磁氣動隔斷閥。

本設備配有下游恒壓控制系統(tǒng)，通過薄膜規(guī)測量（進口件），可調(diào)節(jié)閥控制，使真空室達到恒壓,從而提高工藝穩(wěn)定性。

射頻電源采用進口RF500W及RF1000W雙電源控制，帶自電動匹配。

氣路系統(tǒng)采用四個質(zhì)量流量控制器（國產(chǎn)）控制四路氣體進氣。氣體管路采用1/4英寸不銹鋼硬管（進口件），管路接頭連接形式采用雙卡套連接（進口件）。

自動控制系統(tǒng)采用PLC控制、17寸觸摸顯示屏操作，實現(xiàn)真空系統(tǒng)及工藝過程自動化。本機可選擇全自動及非全自動模式。

本設備設有安全保護及報警系統(tǒng)。

二. 技術指標

1.極限真空度:  9×10^-5Pa（環(huán)境濕度≤55%）

2. 刻蝕材料:   SiO2、 Si3N4、深刻Si等

3. 刻蝕速率：  0.01 ~ 2μ/min

  4. 刻蝕均勻性: ≤±5％ (φ125mm范圍內(nèi))

5. 電極尺寸:   φ200mm

6. 反應室尺寸：φ300×280mm（約）

7. 樣片尺寸：≤ 5〞（小于5吋的不規(guī)則樣片都可）

三．設備配置

1. 真空泵源:   分子泵壹臺(抽速600升/秒)

TRP-36直聯(lián)旋片式真空泵壹臺

2.真空閥門：   150口徑氣動插板閥壹個

           40口徑高真空電磁氣動隔斷閥兩個

           機械泵口壓差閥壹個

3. 射頻功率源: RF500W, RF1000W射頻電源各一套

4. 氣路系統(tǒng):   四臺質(zhì)量流量控制器（國產(chǎn)）控制四路氣體進氣

    閥門：   五臺1/4英寸氣動閥

5. 真空測量：  復合真空計一臺(成都睿寶電子儀器有限公司出品)

6. 恒壓系統(tǒng)： 薄膜規(guī)一個（進口）, 可調(diào)節(jié)閥一套(國產(chǎn))

7. 自動控制系統(tǒng)一套

工控機一臺

17寸液晶顯示器及觸摸屏一套

PLC控制器一套

 全自動電感耦合等離子體刻蝕機(ICP-500)

全自動電感耦合等離子體刻蝕機(ICP-500)