EMMI半導(dǎo)體芯片檢測(cè)微光顯微鏡 是利用高增益相機(jī)/探測(cè)器來(lái)檢測(cè)由某些半導(dǎo)體器件缺陷/失效發(fā)出的微量光子的一種設(shè)備。

二、原理

微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）是利用高增益相機(jī)/探測(cè)器來(lái)檢測(cè)由某些半導(dǎo)體器件缺陷/失效發(fā)出的微量光子的一種設(shè)備。

當(dāng)對(duì)樣品施加適當(dāng)電壓時(shí)，其失效點(diǎn)會(huì)因加速載流子散射或電子-空穴對(duì)的復(fù)合而釋放特定波長(zhǎng)的光子。這些光子經(jīng)過(guò)收集和圖像處理后，就可以得到一張信號(hào)圖。撤去對(duì)樣品施加的電壓后，再收集一張背景圖，把信號(hào)圖和背景圖疊加之后，就可以定位發(fā)光點(diǎn)的位置，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)失效點(diǎn)的定位。

InGaAs EMMI和傳統(tǒng)EMMI具有相同的原理和功能。兩種探測(cè)光子的傳感器都是由電子-空穴復(fù)合和熱載流子觸發(fā)的。它們的不同之處在于InGaAs具有更高的靈敏度，并且可以檢測(cè)更長(zhǎng)的波長(zhǎng)范圍900-1700 nm（相對(duì)于 350-1100 nm 的傳統(tǒng)EMMI），這與 IR（紅外）的光譜波長(zhǎng)相同。

三、儀器特點(diǎn)

（1）InGaAs采集相機(jī)，在近紅外區(qū)域具備高靈敏度；

（2）分辨率高；

（3）多倍率圖像采集：5X~100X；

（4）-70°C水冷降低暗電流帶來(lái)的信噪；

（5）水冷/空氣冷卻自由轉(zhuǎn)換。

EMMI半導(dǎo)體芯片檢測(cè)微光顯微鏡

四、應(yīng)用范圍

（1）LED故障分析；

（2）太陽(yáng)能電池評(píng)估；

（3）半導(dǎo)體失效分析；

（4）EL/PL圖像采集；

（5）光通信設(shè)備分析。

偵測(cè)到亮點(diǎn)的情況：

會(huì)激發(fā)光子的缺陷：P-N接面漏電或崩潰、因開(kāi)路或短路而誤動(dòng)作的電晶體、閂鎖效應(yīng)、閘極氧化層漏電、細(xì)絲殘留的多晶硅、硅基底的損害、燒毀的元件假缺陷(正常操作即會(huì)激發(fā)光子)。

假缺陷(正常操作即會(huì)激發(fā)光子)：浮接狀態(tài)的閘極、飽和區(qū)操作中的BJT或MOSFET、順向偏壓的二極體。

偵測(cè)不到光子的情形：

光激發(fā)位置被上方層次擋到、歐姆接觸、埋入式的接面、大面積金屬線底下的漏電位置、電阻性短路或橋接、金屬連接短路(有時(shí)仍會(huì)被EMMI偵測(cè)到)、表面導(dǎo)通路徑、硅導(dǎo)通路徑、漏電過(guò)小(<0.1uA)。