T100鉑電阻溫度傳感器

對(duì)于需要在30K到500K之間對(duì)溫度進(jìn)行測(cè)量和控制的場(chǎng)合，PT100鉑電阻溫度計(jì)是一個(gè)*的選擇。在這個(gè)溫度范圍內(nèi)，鉑電阻溫度計(jì)有很好的重復(fù)性和幾乎不變的靈敏度。在誤差允許的范圍內(nèi)（1度），鉑電阻溫度計(jì)也可以應(yīng)用在磁場(chǎng)和輻射環(huán)境中。

70K 以上鉑電阻溫度計(jì)具有通用的標(biāo)準(zhǔn)曲線，這使得鉑電阻溫度計(jì)擁有很好的互換性。錦正茂提供的薄膜型鉑電阻，尺寸更小，響應(yīng)時(shí)間更短，應(yīng)用場(chǎng)合更加廣泛。

特點(diǎn)

※ 40K 以上受磁場(chǎng)影響較小；

※ 受電離輻射影響極小； v

※ 提供兩點(diǎn)或三點(diǎn)或多點(diǎn)校準(zhǔn)。

T100鉑電阻溫度傳感器參數(shù)

※ 溫度范圍：14K ~ 873K

※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：IEC 751

※ 推薦激勵(lì)電流：1mA

※ 推薦激勵(lì)下的耗散功率：100μW@273K

※ 響應(yīng)時(shí)間：1.5S@77K，10S@273K               ※ 靈敏度：遵循PT100典型靈敏度曲線  

※ 輻射影響：可以在輻射環(huán)境下使用

※ 磁場(chǎng)影響：不推薦40K以下的磁場(chǎng)環(huán)境中使用

※ 重復(fù)性：±10 mK@77K（通過(guò)100次300K到77K 的熱沖擊測(cè)試而來(lái)）

典型特征曲線

標(biāo)定精度：

封裝形式以及尺寸（封裝參照DT640封裝尺寸）  

選型步驟參照DT640選型步驟進(jìn)行

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