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四探針測(cè)試儀 HD-RTS-8
閱讀：218 發(fā)布時(shí)間：2025-2-5| 提 供 商 | 山東鴻得實(shí)業(yè)有限公司 | 資料大小 | 20.7KB |
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四探針測(cè)試儀 四探針檢測(cè)儀 四探針測(cè)定儀/四探針電阻率測(cè)定儀
型號(hào)：HD-RTS-8
HD-RTS-8型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
技 術(shù) 指 標(biāo) ：
測(cè)量范圍 電阻率：10-4～105 Ω.cm（可擴(kuò)展）；
方塊電阻：10-3～106 Ω/□（可擴(kuò)展）；
電導(dǎo)率：10-5～104 s/cm；
電阻：10-4～105 Ω；
可測(cè)晶片直徑 140mmX150mm（配S-2A型測(cè)試臺(tái)）；
200mmX200mm（配S-2B型測(cè)試臺(tái)）；
400mmX500mm（配S-2C型測(cè)試臺(tái)）；
恒流源 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本指標(biāo) 間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓（總力）；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) （見探頭附帶的合格證）
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
（ 按JJG508-87進(jìn)行） 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差 （用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試）≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%
計(jì)算機(jī)通訊接口 并口
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度：23±2℃；
相對(duì)濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強(qiáng)光直射；
配置 四探針測(cè)試儀主機(jī)、探針臺(tái)、四探針探頭、