壓力傳感器

傳感器目前應(yīng)用最為廣泛的壓電材料之一，就是高壓電特性的PZT材料已經(jīng)被大量應(yīng)用在了揚(yáng)聲器、超聲成像探頭、超聲換能器、蜂鳴器和超聲電機(jī)等電子器件中。最早人們利用溶膠-凝膠法制備了PZT薄膜，并在MEMS器件中進(jìn)行實(shí)際應(yīng)用，如驅(qū)動(dòng)器、換能器傳感器。隨著薄膜制備技術(shù)的提高，開(kāi)始涌現(xiàn)出多種制備手段，并且也利用多種技術(shù)制備了PZT壓電薄膜，如磁控濺射技術(shù)、脈沖激光沉積技術(shù)（PLD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和金屬化合物氣相沉積技術(shù)等。PZT壓電薄膜與非鐵電的ZnO材料相比較，最重要的優(yōu)點(diǎn)就是PZT材料具有鐵電性，在一定的外加電場(chǎng)和溫度條件下，PZT材料內(nèi)部電疇發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)，自發(fā)極化方向重新確定，這樣使得在多晶材料中原本隨機(jī)排列的極化軸通過(guò)電場(chǎng)的作用取向排列而產(chǎn)生了凈壓電響應(yīng)。所以PZT材料的壓電性能要高于ZnO材料，是ZnO的兩倍以上。在光電子學(xué)、微電子學(xué)、微機(jī)電系統(tǒng)和集成光學(xué)等領(lǐng)域，PZT薄膜已經(jīng)被廣泛應(yīng)用。是一種具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的重要III-V族氮化物，其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高。與ZnO和PZT壓電薄膜相比較，AlN薄膜的壓電響應(yīng)較低，但是其優(yōu)點(diǎn)在于AlN薄膜的聲波速較高，這就使得AlN薄膜可以用來(lái)制備高頻下如GHz的濾波器件和高頻諧振器等。此外，AlN壓電薄膜是一種很好的高溫材料，因?yàn)锳lN材料的壓電性在溫度為1200℃時(shí)依舊良好，所以AlN壓電薄膜器件能夠適應(yīng)高溫環(huán)境，該薄膜材料還具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性，在腐蝕性工作環(huán)境下薄膜器件依舊能夠正常工作而不受影響。AlN材料還具有良好的熱傳導(dǎo)性能，在器件工作時(shí)會(huì)及時(shí)將產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去，不會(huì)因?yàn)楫a(chǎn)熱過(guò)多而減少器件的使用壽命。由于AlN薄膜材料的多方面性能優(yōu)點(diǎn)使其得到了相應(yīng)的應(yīng)用。
 

壓力傳感器
MTW-9-100+E08+M01+0
TF-M-PT100-M3 L=250
NT67-XP-VA-2XM12/370-2S-KN-KT
GAW-5
EDS348-5-016-Y00
FPD10N-020GDA01501
MDF-5-025+E05+M01
MTW-9-100+E08+P
MDF-3-025+E04
MDW-3-025+E04+M01
MTF-3-100+E04+P
MTW-9-300+E08+M01+P
MTF-9-100+E08+P
MTW-9-100+E08+M01+P
MDF-5-250+E05+M01
MDF-5-400+E05+M01
MTW-9-100+E08+M01+0
MDF-2-250+E04+M01
MDF-5-025+E05+M01
OLFB-10413-001
EK2-G1/2-VA-M3/300
EK2-G1/2-VA-M3/500