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摻釹釩酸釔晶體（Nd:YVO4）是一種性能優(yōu)良的激光晶體，常應(yīng)用于半導(dǎo)體泵浦尤其是中低功率的激光器。與Nd:YAG相比Nd:YVO4晶體的優(yōu)勢是對泵浦光有更高的吸收系數(shù)和更大的受激發(fā)射截面，能輸出線性偏振光。
半導(dǎo)體泵浦條件Nd:YVO4晶體與LBO， BBO， KTP等高非線性系數(shù)的晶體配合使用，能夠達(dá)到更好的倍頻轉(zhuǎn)換效率?？梢詰?yīng)用于輸出近紅外、綠色、藍(lán)色到紫外線（RGB激光器）等全固態(tài)激光器。而且Nd:YVO4晶體使半導(dǎo)體泵浦固態(tài)激光器更小型化，另外拓展了單縱模輸出方面。Nd:YVO4激光器在加工、醫(yī)學(xué)、激光印刷、數(shù)據(jù)存儲等多個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，此外，Nd:YVO4和Nd:YVO4鍵合晶體的應(yīng)用領(lǐng)域還在不斷拓寬。
聯(lián)合光科提供的晶體材料可根據(jù)您的需求，定制不同尺寸、不同濃度及倍頻晶體，您可根據(jù)您的具體需求咨詢選購，我們將為你提供較專業(yè)的服務(wù)。

摻釹釩酸釔晶體（Nd:YVO4）

截面~ 12mm2

長度0.5 ~ 30mm

平面度λ/8 @ 633nm

波前畸變λ/8 @ 633nm

側(cè)垂＜5 arc min.

受激輻射截面25 x10^-19cm2

平行＜10 arc sec.

常規(guī)波長應(yīng)用1064nm、1342nm、914nm

濃度范圍0.1% ~ 3%

濃度控制精度±0.05%

定向a-cut, c-cut

定向精度＜6 arc min.

光潔度10/5 膜后 20/10

損傷閾值800MW/cm2 10ns 1064nm 10Hz

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