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硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體
  • 硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
參考價 面議
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  • 品牌 聯(lián)合光科
  • 型號
  • 廠商性質 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

供貨周期:現(xiàn)貨 應用領域:綜合

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更新時間:2025-02-19 10:15:56瀏覽次數(shù):17評價

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供貨周期 現(xiàn)貨 應用領域 綜合
硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體具有寬的透過波段,從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率。LGS 晶體采用提拉法生長,熔點是1470 ℃ ,在生長溫度至室溫沒有相變點,生長周期短,可以生長出較大尺寸晶體,有旋光性,但比石英小。

硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體是一種性能優(yōu)良的多功能晶體,具有很高損傷閾值的光學非線性材料。電光系數(shù)高,電光性能優(yōu)良,屬于三方晶系結構,熱膨脹系數(shù)較小,晶體的熱膨脹各向異性較弱,高溫的溫度穩(wěn)定性好(優(yōu)于石英晶體),具有的兩個獨立電光系數(shù)與BBO晶體的系數(shù)相當,電光系數(shù)值在很大的溫度范圍內保持穩(wěn)定,該晶體機械性能好、無解離性、不潮解、物理化學性質穩(wěn)定,具有非常好的綜合性能。
LGS晶體具有寬的透過波段,從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率。LGS 晶體采用提拉法生長,熔點是1470 ℃ ,在生長溫度至室溫沒有相變點,生長周期短,可以生長出較大尺寸晶體,有旋光性,但比石英小。
可應用于電光調制、電光調Q。LGS電光開關可用于高重復頻率,高輸出能量,應用范圍廣。

硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體


晶體尺寸2 x 2 - 8 x 8 mm

外殼尺寸Dia.30-65 mm

消光比>350

整體透過率>98% @ 1064nm

電極間隔離性<1

光潔度20/10(膜后40/20)

電容9 pF

鍍膜AR/AR @ 1064nm (<0.2%)

抗光傷600MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm





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