CuxBi2Se3拓撲體微粒/薄膜/納米材料

西安齊岳生物科技有限公司經(jīng)營的產(chǎn)品種類包括有：石墨烯、高分子聚乙二醇衍生物、嵌段共聚物、磁性納米顆粒、納米金及納米金棒、鈣鈦礦、環(huán)糊精衍生物、發(fā)光材料、金屬配合物發(fā)光材料、原料藥、石墨炔(graphyne)大環(huán)配體類、熒光量子點、透明質(zhì)酸衍生物、石墨烯或氧化石墨烯、碳納米管、富勒烯，MRI核磁造等產(chǎn)品。供應(yīng)Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2四元拓撲體;Bi2Te3-Bi2Se3的異質(zhì)結(jié)構(gòu);Bi2Te3三角形的納米薄片;Bi2Te3六邊形的納米薄片;Bi2Se3三角形的納米薄片;Bi2Se3六邊形的納米薄片;過渡金屬化合物LaRu3Si2;Bi4O4S3導體;導體Ba2/3Pt3B2;碲化汞拓撲體;碲化鎘拓撲體;拓撲體Ta As2;摻雜Mn的拓撲體Bi2Se3的異質(zhì)結(jié)薄膜;拓撲體YbB6單晶體;拓撲體Bi2Se3與鈣鈦礦氧化物La0.7Sr0.3MnO3復合結(jié)構(gòu);拓撲體/石墨烯復合柔性透明導電薄膜;單層Bi2Se3拓撲體薄膜;少層Bi2Se3拓撲體薄膜BiTe/SbTe晶格薄膜;Te元素摻雜Bi2Se3拓撲體納米線;Bi2(TexSe1-x)3納米線

CuxBi2Se3拓撲體微粒/薄膜/納米材料

在導拓撲體CuxBi2Se3的導機理研究方面取得進展，成功生長出目前該體系高導轉(zhuǎn)變溫度的單晶樣品（Tc=4.18K），進一步系統(tǒng)的電、磁輸運性質(zhì)研究表明該體系屬于摻雜半導體家族中的規(guī)導體，為鉍硒基拓撲材料的導機理研究作了的重要補充。拓撲材料作為一種的量子材料，在自旋電子器件、容錯量子通信及量子計算機中具有應(yīng)用價值。(Cu,Sr,Nb)x-Bi2Se3作為潛在的拓撲導體，獲得了關(guān)注。該項研究中，利用布里奇曼法生長了Cu0.09Bi2Se3晶體，并使用導量子干涉儀和綜合物性測量系統(tǒng)對材料的各向異性磁化率及電阻率、上下臨界磁場、磁通穿透深度等物理參量進行分析，發(fā)現(xiàn)材料在96K附近有的電荷密度異常行為，表明該體系中可能存在電荷密度波相。

產(chǎn)品列表：

Cu2Se和Bi2Te3為基底的納米拓撲體材料
拓撲體Bi2Se3單晶
Bi2Te3/NiTe2多晶復合物
SOI體上硅基底MoS2
Bi2Se3硒化鉍拓撲體單晶體
磁性拓撲體
Bi2Te2Se拓撲體納米帶
Bi2Te3碲化鉍拓撲體
Bi基拓撲體
拓撲體Bi0.05Sb1.95Te3納米片
二維拓撲體
拓撲體薄膜
拓撲體微粒
拓撲體HgTe納米材料
半Heusler型拓撲體LaPtBi
三維拓撲體
拓撲體(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜
拓撲體Sb2Te3薄膜
Cr摻雜拓撲體Bi2Se3塊
Cu2Se為基底的納米拓撲體材料
CuxBi2Se3拓撲體
Cr摻雜BixSbyTe3晶體
Cr摻雜Bi2Se3
Fe摻雜Bi2Se3
Cr0.1(Bi0.1Sb1-0.1)2-0.1Te3撲體量子阱薄膜的材料
800nm拓撲體
一維的拓撲體—SSH模型拓撲
Bi2Se2Te三元拓撲體
Bi2-xSbxSe3三元拓撲體
Bi2-xSbxTe3三元拓撲體
四元拓撲體Bi2-xSbxTe3-ySey (BSTS)
 

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溫馨提示：用于科研哦?。▃hn2020.05.25）