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當前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>化合物半導體-工藝設(shè)備>> Centrotherm Oxidator 150Centrotherm 高溫氧化系統(tǒng)-Oxidator 150
參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號Centrotherm Oxidator 150
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地北京市
更新時間:2024-09-25 16:13:33瀏覽次數(shù):1261次
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Centrotherm 快速熱工藝設(shè)備-RTP 150
產(chǎn)地類別 | 進口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
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Centrotherm 高溫氧化系統(tǒng)-Oxidator 150
德國Centrotherm公司是國際主流的半導體設(shè)備供應(yīng)商,尤其在高溫設(shè)備領(lǐng)域。Centrotherm Oxidator 150 經(jīng)過專業(yè)的研發(fā), 能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時亦可用于常規(guī)的硅圓片的氧化。Centrotherm Oxidator 150 的反應(yīng)腔具有性能高、占地小和生產(chǎn)成本低等特點,為客戶提供最高的工藝靈活度, 同時能夠保證有毒氣體的安全使用。
設(shè)備特點:
爐管和加熱器均處于真空密閉反應(yīng)腔內(nèi),上下料腔室可用Ar或 N2 進行吹掃,可以保證有毒氣體(如 NO、N2O、H2、NO2 等) 的安全使用。
氧化工藝使用 N2O 氣氛,可以改善 SiO2/SiC 接觸表面以獲得更高的通道遷移率,同時可提高SiC表面氧化物的穩(wěn)定性和壽命。
提供帶有氫氧合成系統(tǒng)的濕氧工藝。
高達 1350 ℃ 的溫度和其他支持功能為 SiC 氧化工藝和低界面陷阱密度, 高通道移動率的氧化層研制提供可能。
高溫SiC或Si氧化
氧化后退火(氫氣環(huán)境)
性能
圓片尺寸: 2″、3″、4″、6″
工藝溫度: 900 ℃ ~ 1350 ℃
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