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2023年末，奧地利Roithner公司正式推出了550nm的高功率綠色LED，型號SMB1N-550H和SMB1N-550H-02。高功率綠光LED繼承了Roithner發(fā)光二極管SMB1N系列的高功率、砷化鎵芯片（InGaAs chip）技術(shù)以及采用耐熱聚酰胺 (PA9T) SMD封裝。

SMB1N-550H是一款基于InGaAsP的表面貼裝高功率高功率綠色LED，典型峰值波長為550nm，光輸出功率為100mW@350mA。高功率綠光LED采用SMD封裝（PA9T），帶有鍍銀焊盤（可無鉛焊接）、銅散熱器和硅樹脂模壓平窗。SMB1N-550H-02的光輸出功率也為100mW@350mA。550nm高功率LED SMB1N-550H-02不僅采用聚酰胺樹脂SMD封裝(PA9T)，帶有鍍銀焊盤（可無鉛焊接）、銅散熱器和硅樹脂模制透鏡，還可根據(jù)要求提供不同光束角度的其他變體。

Roithner LED SMB1N-550H與SMB1N-550H-02的最大區(qū)別是SMB1N-550H-02含有透鏡，從而導(dǎo)致其光束角為±10°，而SMB1N-550H的光束角為±65°。Roithner發(fā)光二極管，高功率綠光LED

Roithner 550nm LED的主要特點：

-高功率綠色LED

-特定波長550nm，光輸出功率100mW@350mA

-砷化鎵芯片（InGaAs chip），1x1mm

- PA9T SMD 封裝

-光束角±65°（SMB1N-550H）或±10°（SMB1N-550H-02）

550nm高功率綠光LED的最大額定值*：

參數(shù)	符號	最小值	最大值	單位
功率耗散	P_D		1200	mW
正向電流	I_F		350	mA
脈沖正向電流**	I_FP		500	mA
反向電壓	U_F		5	V
熱阻	R_THJA		10	K/W
結(jié)溫	T_J		120	°C
工作溫度	T_CASE	-40	+100	°C
存儲溫度	T_STG	-40	+100	°C
引線焊接溫度 (t_max.5s)	T_SLD		+250	°C

*接近或超過這些參數(shù)的操作可能會損壞設(shè)備

**占空比=1%，脈沖寬度=10μs

550nm高功率LED電子光學(xué)特性（T_CASE = 25°C）：

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值	最大值	單位
峰值波長	λ_P	I_F=1 A	540		560	nm
半寬	λ_Δ	I_F=1 A		35		nm
正向電壓	V_F	I_F=1 A		2.7	3.4	V
正向電壓	V_FP	I_FP=2 A*		2.9		V
總輻射功率	P_O	I_F=1 A	70	100		mW
總輻射功率	P_O	I_F=2 A*		140		mW
輻射強度	I_E	I_F=1 A		33（160）^*		mW/sr
輻射強度	I_E	I_F=2 A*		46（220）		mW/sr
視角	2θ_1/2	I_F=100 Ma		130（20）		deg.
上升時間	t_r	I_F=1 A		100		ns
下降時間	t_f	I_F=1 A		30		ns

*占空比=1%，脈沖寬度=10μs

*（）里為高功率綠色LED的SMB1N-550H-02參數(shù)

550nm高功率綠光LED的外形尺寸：

Roithner發(fā)光二極管，高功率綠光LED

550nm發(fā)光二極管SMB1N-550H-02

Roithner發(fā)光二極管，高功率綠光LED

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