硫族化合物晶體

Badikov大尺寸硫化物晶體，硫族化合物晶體

BaGa4Se7晶體

采用Bridgman-Stockbarger方法在實(shí)驗(yàn)室中生長(zhǎng)了BaGa4S7(BGS)晶體，獲得了其含Se的類似物BaGa4Se7(BGSe)，其尺寸大到足以測(cè)量色散系數(shù)和折射系數(shù)，這是預(yù)測(cè)相位相互作用特性的先決條件。

Badikov的晶體實(shí)驗(yàn)室具有50多年的硫族化合物晶體的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，以及超過(guò)30年的非線性激光晶體，硫化物非線性晶體的商業(yè)供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)。團(tuán)隊(duì)已開(kāi)發(fā)出*的培養(yǎng)技術(shù)，大型高質(zhì)量晶體已準(zhǔn)備好用于商業(yè)供應(yīng)：BaGa₄Se₇，BaGa₄S₇，BaGa₂GeSe₆，BaGa₂GeS₆，Ba₂Ga₈GeS₁₆。Badikov是大尺寸HgGa₂S₄晶體的制造商。您也可以訂Hg_1-xCd_xGa₂S₄晶體。還生長(zhǎng)了以下具有高光學(xué)質(zhì)量的元素：Ag₃AsS₃，Ag₃SbS₃，AgGaS₂，AgGaSe₂，AgGa_1-x In_xS₂，AgGa_xIn_1-xSe₂，AgGaGeS₄，AgGaGe₅Se₁₂，HgGa₂S₄，Hg_1-xCd_xGa₂S₄，PbIn₆Te₁₀，PbGa₆Te₁₀，Pb_1-xCa_xIn₆Te₁₀，Tl₄HgI₆，PbGa₂GeSe₆，GaSe等。團(tuán)隊(duì)可以根據(jù)用戶的研究任務(wù)，對(duì)單晶生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行研究，并合成任何數(shù)量的硫化物晶體。我們一直在尋找和開(kāi)發(fā)新的晶體?，F(xiàn)在已經(jīng)生長(zhǎng)出了尚未研究或尚未研究的晶體，例如：HgIn₂Se₄、HgIn₂S₄、Fe₂In₂Te₅、Fe₂Mn₂Se₅。

AgGaS2晶體簡(jiǎn)介

AgGaS2晶體是常見(jiàn)的硫化物晶體，通常用來(lái)二倍頻和三波混頻。用適合的光源進(jìn)行泵浦，基于這類硫化物非線性晶體的參量振蕩可以產(chǎn)生光譜范圍1~10微米的波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)諧的激光。高質(zhì)量的非線性晶體AgGaS2和其較長(zhǎng)的尺寸使實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率變得可能。用摻Nd的YAG激光器（1064nm）的單皮秒脈沖泵浦AgGaS2的參量發(fā)生已被證實(shí)覆蓋了2.2~7.4微米范圍。由于非共線雙晶結(jié)構(gòu)，比之前報(bào)道過(guò)的（在該光譜范圍用皮秒脈沖泵浦的光學(xué)參量振蕩）更高的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)了。而且基于單個(gè)的AgGaS2晶體的雙通的OPO也實(shí)現(xiàn)了。該器件與雙晶OPO相比，在不損失轉(zhuǎn)換效率的情況下具有一定優(yōu)勢(shì)。

HgGa2S4晶體簡(jiǎn)介

我們?cè)谏L(zhǎng)HgGa2S4硫化物晶體等非線性晶體方面占有明顯地位。高的激光損傷閾值和高轉(zhuǎn)換效率使得這些晶體可以用于1.0~10 um的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的倍頻和OPO/OPA。據(jù)證實(shí)，CO2激光器用4mm長(zhǎng)的HgGa2S4晶體進(jìn)行二倍頻的量子轉(zhuǎn)換效率為10%（脈寬30ns，輻射功率密度60MW/cm²）。高轉(zhuǎn)換效率和寬波長(zhǎng)可調(diào)諧發(fā)射譜使得HgGa2S4

具有與AgGaS2，AgGaSe2，ZnGeP2和GaSe晶體競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力，盡管生長(zhǎng)大尺寸的HgGa2S4具有一定難度。

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