一、概述

現(xiàn)代電力電子技術(shù)實(shí)訓(xùn)裝置依據(jù)西安交通大學(xué)王兆安編著的《電力電子技術(shù)》（第四版）、《半導(dǎo)體變流技術(shù)》教材實(shí)驗(yàn)大綱的要求，吸收國內(nèi)、外同類產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，充分考慮了實(shí)驗(yàn)室的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢，對原電力電子技術(shù)及電機(jī)控制實(shí)驗(yàn)裝置"在外形、功能上進(jìn)行優(yōu)化組合，精心研制而成。

該實(shí)驗(yàn)裝置涵蓋了各高等院校等所開設(shè)的電力電子技術(shù)、半導(dǎo)體變流技術(shù)等專業(yè)課程所要求的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目。

二、現(xiàn)代電力電子技術(shù)實(shí)訓(xùn)裝置技術(shù)性能：

1、輸入電源:三相四線(或三相五線380V±10％50HZ)

2、工作環(huán)境:溫度-10℃－+40℃　相對濕度＜85％（25℃）　海撥＜4000m

3、裝置容量：＜1000W

4、外形尺寸：155×79.5×147cm

5、移動腳輪：100*60mm

三、實(shí)訓(xùn)裝置能開設(shè)的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目（全配）

（一）晶閘管觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目

1、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路

2、正弦波同步移相觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)

3、鋸齒波同步移相觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)

4、單相集成鋸齒波觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)（由Tca785組成）

5、三相集成鋸齒波觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)（由KC04等組成）

6、三相集成鋸齒波觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)（由TC787組成）

（二）晶閘管線路實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目

1、單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn)

2、單相橋式半控整流電路實(shí)驗(yàn)

3、單相橋式全控整流及有源逆變電路實(shí)驗(yàn)

4、三相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn)

5、三相橋式半控整流電路實(shí)驗(yàn)

6、三相半波有源逆變電路實(shí)驗(yàn)

7、三相橋式全控整流及有源逆變電路實(shí)驗(yàn)

8、單相并聯(lián)逆變電路實(shí)驗(yàn)

9、單相交流調(diào)壓電路實(shí)驗(yàn)

10、單相交流調(diào)功電路實(shí)驗(yàn)

11、三相交流調(diào)壓電路實(shí)驗(yàn)

（三）新器件特性及驅(qū)動保護(hù)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目

1、單向晶閘管（SCR）特性實(shí)驗(yàn)

2、可關(guān)斷晶閘管（GTO）特性實(shí)驗(yàn)

3、功率場效應(yīng)管（MOSFET）特性實(shí)驗(yàn)

4、功率晶體管（GTR）特性實(shí)驗(yàn)

5、絕緣雙極性晶體管（IGBT）特性實(shí)驗(yàn)

6、可關(guān)斷晶閘管（GTO）驅(qū)動與保護(hù)電路實(shí)驗(yàn)

7、功率場效應(yīng)管（MOSFET）驅(qū)動與保護(hù)電路實(shí)驗(yàn)

8、功率晶體管（GTR）驅(qū)動與保護(hù)電路實(shí)驗(yàn)

9、絕緣雙極性晶體管（IGBT）驅(qū)動與保護(hù)電路實(shí)驗(yàn)

（四）典型新器件線路實(shí)驗(yàn)

1、單相正弦波脈寬調(diào)制（SPWM）逆變電路實(shí)驗(yàn)

2、全橋DC/DC變換電路實(shí)驗(yàn)

3、半橋型開關(guān)穩(wěn)壓電源的性能研究

4、單端反激式隔離開關(guān)電源實(shí)驗(yàn)

5、單端電流反饋他激式隔離開關(guān)電源實(shí)驗(yàn)

6、直流斬波電路的性能研究（降壓斬波電路、升壓斬波電路、升降壓斬波的電路、Cuｋ斬波電路、Sepic斬波電路、Zeta斬波電路）

7、升、降壓與復(fù)合斬波電路實(shí)驗(yàn)

8、單相斬控式交流調(diào)壓電路實(shí)驗(yàn)

9、整流電路有源功率因數(shù)校正實(shí)驗(yàn)

10、軟開關(guān)技術(shù)實(shí)驗(yàn)