產(chǎn)品特點(diǎn)： 
·具有Sorting功能，可將從ATE中淘汰下來的DRAM（含任何封裝形式），
自動(dòng)作內(nèi)部從新組合（將損壞部份之I／O線路Disable），即可再使
用。
·內(nèi)建有可設(shè)定的動(dòng)態(tài)負(fù)載（dynamicloading）及雙臨界值、超快速之比
較器，對(duì)于測(cè)試中常須驅(qū)動(dòng)資科匯流排上高電容及低電阻負(fù)載時(shí)，相
當(dāng)有用。
·提供基本型、加強(qiáng)型、快檢型及自行定義型的測(cè)試圓形
（testpatterm）。
·對(duì)工作電流（1ccl），備用電流（1cc2）及資料保持電流（1dr）提供了精
確的量測(cè)及GO／NOGO測(cè)試。廣大的測(cè)試范圍之種類：記憶容量范圍從
4K x 1-l6Mx1，1K x 4-4M x 4，2K x 8-512K x8。SIMM之腳數(shù)有
30pin，64pin，72pin，200pin。適用封裝方式
DIP.ZIP.SOJ.SIP.PLCC及TSOP。
·DRAM的動(dòng)態(tài)參數(shù)Trad.Trcd（解析度為1ns）及刷新間隔*可依電路的
要求來設(shè)定，此實(shí)時(shí)的功能測(cè)試，避免了在儀器上測(cè)誠是好的，但實(shí)
際在工作中卻是壞的困擾。
·主機(jī)采用插入式模塊設(shè)計(jì)，可隨時(shí)做功能提升
·對(duì)DRAM、SIMM．SRAM及PCMCIA卡提供實(shí)時(shí)的功能分析測(cè)試。
·具有2ns解析度及多種測(cè)量模式的精準(zhǔn)存取時(shí)間量測(cè)（Tace．Taa，
Trac，Tcac）。
·使用DMA及高速硬體測(cè)試電路，大量降低測(cè)試時(shí)間。