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邁可諾技術(shù)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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SE系列光譜橢偏儀DUV-VIS-NIR
光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長(zhǎng)范圍。DUV范圍可用于測(cè)量超薄膜，如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常僅為約1至2nm厚。當(dāng)用戶需要測(cè)量許多材料的帶隙時(shí)，深紫外光譜橢偏儀也是*的。可見(jiàn)或近紅外范圍用于測(cè)量相對(duì)厚或非常厚的涂層。當(dāng)然，如果必須確定光學(xué)常數(shù)，則應(yīng)將工具的波長(zhǎng)范圍配置為該范圍。其他配置，如波長(zhǎng)分辨率，角度范圍等，將根據(jù)所需的應(yīng)用進(jìn)行考慮。
光譜橢偏儀特征：
•基于Window軟件，易于操作；
•*光學(xué)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能；
•高功率DUV-VIS-NIR光源，適用于寬帶應(yīng)用；
•基于陣列的探測(cè)器系統(tǒng)，確?？焖贉y(cè)量；
•用戶可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層；
•能夠用于實(shí)時(shí)或在線厚度，折射率監(jiān)測(cè)；
•系統(tǒng)配有全面的光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)；
•高級(jí)TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對(duì)每個(gè)膠片使用NK表，色散或有效介質(zhì)近似（EMA）；
•三種不同的用戶級(jí)別控制：工程師模式，系統(tǒng)服務(wù)模式和簡(jiǎn)易用戶模式；
•靈活的工程模式，適用于各種配方設(shè)置和光學(xué)模型測(cè)試；
•強(qiáng)大的一鍵式按鈕解決方案，用于快速和常規(guī)測(cè)量；
•可按照用戶偏好配置測(cè)量參數(shù)，操作簡(jiǎn)便；
•系統(tǒng)全自動(dòng)校準(zhǔn)和初始化；
•直接從樣品信號(hào)獲得精確的樣品對(duì)齊接口，無(wú)需外部光學(xué)元件；
•精確的高度和傾斜程度調(diào)整；
•適用于許多不同類(lèi)型的不同厚度的基材；
•各種選項(xiàng)，附件可用于特殊配置，如繪圖階段，波長(zhǎng)擴(kuò)展，焦點(diǎn)等；
•2D和3D輸出圖形以及用戶數(shù)據(jù)管理界面；
光譜橢偏儀應(yīng)用：
•半導(dǎo)體制造（PR，氧化物，氮化物......）
•液晶顯示器（ITO，PR，Cell gap ......）
•法醫(yī)學(xué)，生物學(xué)材料
•油墨，礦物學(xué)，顏料，調(diào)色劑
•制藥，醫(yī)療器械
•光學(xué)涂層，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......
•半導(dǎo)體化合物
•MEMS / MOEMS中的功能薄膜
•無(wú)定形，納米和硅晶圓
•太陽(yáng)能電池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS ....
光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù)：
| 型號(hào) | SE200 (DUV-Vis) | SE300 (Vis) | SE450 (Vis-Nir) | SE500 (DUV-Vis-Nir) |
| 探測(cè)器類(lèi)型 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 |
| 波長(zhǎng)范圍（nm） | 190至1100 | 370至1100 | 370-1700 | 190-1700 |
| 波長(zhǎng)點(diǎn) | 測(cè)量波長(zhǎng)范圍和波長(zhǎng)數(shù)據(jù)點(diǎn)均在用戶配方中自定義（數(shù)據(jù)點(diǎn)僅受分辨率限制） | |||
| 波長(zhǎng)分辨率 | 0.01 -3nm | 0.01 -3nm | 0.01至3nm | 0.01至3nm |
| 數(shù)據(jù)采集??時(shí)間 | 100毫秒到10秒，用戶自定義 | |||
| 入射角范圍 | 20至90度 | |||
