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GWJD-1000型高溫介電性能測(cè)量系統(tǒng)(四通道測(cè)試,同時(shí)測(cè)試4個(gè)樣品)

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主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品:測(cè)繪儀器

測(cè)繪儀器

GWJD-1000型高溫介電性能測(cè)量系統(tǒng)(四通道測(cè)試,同時(shí)測(cè)試4個(gè)樣品)

 

關(guān)鍵詞:高溫介電測(cè)試溫譜儀高溫介電性能測(cè)量系統(tǒng)、高溫介溫譜能系統(tǒng) 

   

產(chǎn)品介紹: 

   GWJD-1000型高溫介電性能測(cè)量系統(tǒng)主要應(yīng)用于高溫下材料的介電性能測(cè)試與分析,包括介電常數(shù)、介電損耗、電容等參數(shù),同時(shí)測(cè)試出測(cè)試材料的其他阻抗參數(shù),廣泛應(yīng)用于陶瓷材料、半導(dǎo)體器件及功能薄膜材料等研究  

一、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì): 

1.耐高溫、1000°C不氧化,電極阻抗低、絕緣好. 

2.四通道測(cè)試,可以同時(shí)測(cè)試1-4個(gè)樣品,方便快捷 

3.數(shù)據(jù)分析軟件:提供多種掃描曲線,可以在多窗口之間切換數(shù)據(jù) 

二、《符合ASTMD150和 D2149-97標(biāo)準(zhǔn)>> 

<<符合GB/T1409-2006介電常數(shù)和介電損耗的*方法;》 

三、產(chǎn)品特點(diǎn)

1.可以在高溫、寬頻、真空條件下測(cè)量固體、薄膜樣品的介電性能; 

2.可以分樣品的頻率譜、溫度譜、偏壓譜、阻抗譜、介電譜、時(shí)間譜等測(cè)量功能; 

3.可以測(cè)量樣品的介電常數(shù)、介電損耗,電容C,損耗D,電感L,品質(zhì)因數(shù)Q,阻抗Z等物理量;以實(shí)現(xiàn)介電常數(shù)和介電損耗隨多個(gè)溫度、多個(gè)頻率變化的曲線,時(shí)間和電壓變化的曲線; 

4、可提供塊體,薄膜,單樣品,四樣品夾具,滿足不同測(cè)試要求。 

主要技術(shù)指標(biāo): 

測(cè)量溫度: 室溫-1000°C 

升溫斜率:2°C /min

頻率范圍:20-30MHZ 

精度:0.05% 

測(cè)量精度: ±0.1°C 

控溫精度:±1°CPID精準(zhǔn)控溫) 

高溫樣品桿:耐高溫、1000°C不氧化,電極阻抗低、絕緣好 

測(cè)試方法:兩線法或四線法 

測(cè)試通道數(shù):1-4通道 

一次可測(cè)樣品數(shù):1-4個(gè)樣品 

樣品尺寸:直徑小于2-10mm,厚度小于1-10mm,樣品放置位置靈活,可快捷安裝和拆卸 

測(cè)量精度:0.05% 

AC電平:  0V  1V rms 

直流偏壓:0±40V/100mA 

數(shù)據(jù)存儲(chǔ):EXCEL表格等多種格式 

加熱方式:電阻絲加熱 

真空度范圍:100 Pa-1大氣壓 

電極材料:鉑金 

數(shù)據(jù)傳輸:4個(gè)USB接口 

儀器通訊:USBGPIB 

 



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