安徽賽科環(huán)保科技有限公司今天向大家介紹的是一種擴散式半導體小型壓力傳感器，這種壓力傳感器的應用也有一些的廣泛，但是相關的知識的介紹和講解是很少的，所以很多的顧客希望我們向大家具體的介紹一下，應廣大的消費的要求我們今天就像大家介紹一下，希望對大家在選型的時候有一定的幫助，或者可以打來咨詢，安徽賽科環(huán)保科技有限公司歡迎您的。

    擴散式半導體小型壓力傳感器一般說來，如果沒有電子式傳感器來檢測各種信息，支撐現(xiàn)代文明的科學技術(shù)就不可能發(fā)展。在傳感器的結(jié)構(gòu)中，敏感元件是zui重要的基本構(gòu)件。其中，屬于電阻變化的電阻絲應變片這種敏感元件很早就有了，直至目前還在廣泛應用。此外，1956年，又出現(xiàn)了一種體效應半導體應變片。由于這種應變片是應用半導體壓阻效應，因而它的靈敏度要比單純靠幾何形狀變化的電阻絲應變片高50~100倍，_巨有應變系數(shù)可取為或正或負的優(yōu)點。擴散式半導體應變片，自60年代開始研究，現(xiàn)已進入實用階段。進入70年代后，又進一步試制了自帶穩(wěn)壓、放大及調(diào)整等集成化電路的傳感器，其中有的已在市場上銷售。

    一、感壓膜片

    感壓膜片是壓力傳感器的基本元件，具有感壓功能，是在半導體單晶片表面的許多部上形成半導體應變片的。半導體單晶片選用硅作材料。硅單晶的一般特性，如彈性常數(shù)、楊氏模量以及斷裂模數(shù)等，與結(jié)構(gòu)鋼大致相同，密度跟鋁一樣，線膨脹系數(shù)小于3.3‘10一“/℃。一旦超過彈性限度，就會驟然地應力集中而變脆。上述這些性質(zhì)是設計壓力傳感器的感壓膜片時所必須考慮的重要條件。下面介紹在半導體晶面上形成的擴散式半導體應變片。這種應變片是應用半導體平面技術(shù)在上述的晶片表面上形成雜質(zhì)擴散層而制成的。為了提高壓電的轉(zhuǎn)換效率，須采取各種有效措施。

    首先，得把感壓膜片設計成邊緣固定的平膜片，如果壓力分布均勻，那末在徑向邊緣跟中心約4:6的應力分布處，存在著應力反向的變極點。因而在同一平面上，從變極點到邊緣和從變極點到中心的兩邊就構(gòu)成應變片，而擴散晶格則是按照應變片構(gòu)成的惠斯登電橋電路的結(jié)構(gòu)設計的。由于半導體單晶的壓阻效應表現(xiàn)出明顯的各向異性，因而在考慮應變片的形狀、應變方向、晶軸、晶面的同時還得考慮生產(chǎn)率和穩(wěn)定性等。在N型硅片品而的no面，應變片變成“S”形。根據(jù)晶格結(jié)構(gòu)選定縱向晶軸為11饑橫向晶軸為100，并把雜質(zhì)硼定量地擴散到2件的深度，以形成P十片。硅片表面上的應變片部分及其他部分，由于PN邊界的勢壘而形成電絕緣。為了進一步提高表面穩(wěn)定性，采用讓硅片的整個表面都氧化的方法，使之作為二氧化硅保護膜而分離出來。

    作為外部用引線電極，用光刻法除去四個拐角處的氧化硅，再進行蒸鍍鋁。在感壓膜片內(nèi)直徑3毫米處，根據(jù)壓力傳感器的額定壓力把膜片光刻到20一50協(xié)厚。zui后在一塊硅面上將許多個同時處理制作的感壓膜片，分別劃線、切片。

    二、擴散式半導體壓力元件

    所謂擴散式半導體壓力元件，就是為了易于使用感壓膜片，也是為了壓力傳感器安裝方便，而在晶化玻璃基板上用玻璃連接的元件。為了不讓無用的熱應力影響到膜片上，晶化玻璃須選用與硅單晶的線膨脹系數(shù)大致相同的材料。晶化玻璃基板有兩種規(guī)格:一種是*帶小1孔的，另一種是不帶小1孔的。當感壓膜片和帶小1孔的玻璃基板組合時，就構(gòu)成壓力計或差壓傳感器;而當感壓膜片和無孔的玻璃基板組合.

    三、規(guī)格與性能
    玻璐接合面品化玻勸擴散式半導體壓力元件的結(jié)構(gòu)附表特性為了構(gòu)成壓力傳感器，擴散半導體壓力元件須置于金屬合內(nèi)組裝成一體。

1.壓力測量系統(tǒng)由壓力傳感器及放大器等
部件構(gòu)成，
2.與該公司的老產(chǎn)品體效應半導體壓力傳感器相比，精度有了顯著提高:溫度漂移為
1/5，時效漂移為1/30，靈敏度一溫度特性為1/10，重復精度及滯后為1/50，線性度為1/5‘受壓部分固有振動頻率（KHZ）（約90）（約15）
3.轉(zhuǎn)接器有多種多樣標準類型，與此相應制備有各種標準壓力傳感器，以滿足更多用戶
的需要;
4.外形及結(jié)構(gòu)均適合于大量生產(chǎn);
5.以表壓、差壓和壓三種為標準規(guī)格，且有普通型和高精度型之分

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