為了使光電(PV)發(fā)電提供世界能源需求的很大一部分，必須降低每瓦特產(chǎn)生的面板成本。低成本、高容量光伏發(fā)電的前景是薄膜無(wú)機(jī)化合物，包括CdTe和Cu (In, Ga) Se₂ (CIGS)。這兩種材料目前占太陽(yáng)能電池板銷量的近20%，由于與硅相比有以下優(yōu)勢(shì)，這一比例可能會(huì)增加:

1、這些材料的直接帶隙意味著與100-400 μm的Si相比，所需的材料厚度大大減少，為2-5 μm。

2、這種減少的厚度導(dǎo)致大大降低了對(duì)太陽(yáng)能吸收器晶體質(zhì)量的要求，它為更廣泛的可能生產(chǎn)路線打開了大門;降低成本，提高產(chǎn)量。

CdTe/CdS光伏異質(zhì)結(jié)截面的SEM圖像。

陰極發(fā)光能夠以其他技術(shù)的空間分辨率提供這些薄膜PV材料的表征。Attolight系統(tǒng)尤其具有以下優(yōu)點(diǎn):

1、晶界和位錯(cuò)等缺陷可以根據(jù)它們的信號(hào)強(qiáng)度和CL光譜剖面進(jìn)行分析。這可以提供有關(guān)缺陷的電活動(dòng)和任何化學(xué)分離效應(yīng)的信息。

2、高度穩(wěn)定的冷卻階段允許低至10 K的高分辨率掃描，提供有關(guān)摻雜劑和缺陷水平的空間分布的信息。此外，可以確定激發(fā)態(tài)的溫度依賴性，給出這些狀態(tài)的活化能。

同一截面的CL圖，以發(fā)射頻率的顏色編碼。在CL數(shù)據(jù)集中，硫在連接處的相互擴(kuò)散是清楚的。

       局部測(cè)量CL發(fā)射壽命提供了的缺陷和成分梯度的表征，載流子壽命是PV中的一個(gè)重要因素，它們必須擴(kuò)散到觸點(diǎn)才能被收集。這一關(guān)于光伏材料缺陷、結(jié)構(gòu)和能級(jí)的數(shù)據(jù)組合提供了一個(gè)非常全面的分析。