當(dāng)前國內(nèi)差壓變送器存在的問題包括:加工精度低;批量封裝存在問題;長期穩(wěn)定性差;靜壓能力低、過載后誤差增大;差壓影響誤差

大、差壓范圍窄等。本論文針對高精度MEMS硅差壓變送器受靜壓影響大、靜壓能力低的問題，從結(jié)構(gòu)改進以及創(chuàng)新的進行靜壓差壓試驗后

建立靜壓誤差補償數(shù)學(xué)模型兩方面將其解決。本文研究了硅差壓變送器的總體設(shè)計，從差壓變送器整機的工作原理，差壓傳感器的測量原

理，壓阻效應(yīng)的理論基礎(chǔ)、力敏芯片的版圖設(shè)計，硅差壓芯片的制作等方面，對差壓變送器的關(guān)鍵組成部分硅差壓芯片作了詳盡的理論研究，詳細研究了差壓傳感器在具體使用場合下的差壓，靜壓以及靜壓影響。并以四臺差壓傳感器的常溫靜壓輸出測試實驗結(jié)果說明了在常溫以及僅施加靜壓的條件下，硅差壓傳感器的受到的靜壓影響。接著，采用彈性力學(xué)及板橋理論對方形應(yīng)力膜的應(yīng)力分布進行了分析推導(dǎo)，得出了縱橫應(yīng)力差zui天值出現(xiàn)在方形膜片中間位置的結(jié)論，可指導(dǎo)壓敏電陰在應(yīng)力膜片上的布置，對干確定由于其他結(jié)構(gòu)變化等因素導(dǎo)致的應(yīng)力膜片應(yīng)力分布的變化也是必須的分析基礎(chǔ)。采用有限元分析軟件ANSYS對比分析了以往單獨分析硅差壓芯片承壓后應(yīng)力分布與安裝到基座后硅差壓芯片的應(yīng)力分布。然后針對基座變形對硅差壓芯片應(yīng)力分布的影響效應(yīng)提出了兩種優(yōu)化基座結(jié)構(gòu)的方案，并針對這兩種方案，做了有限元仿真對比，之后選擇了第二方案做出實物并做測試實驗驗證，結(jié)果表明優(yōu)化后輸出誤差減小，達到提高輸出精度的目

的。zui后，設(shè)計了一套基于雙通道壓力校準(zhǔn)儀的可以講行硅美壓變送果靜壓差壓測試的試驗設(shè)備，并基于此設(shè)備得出的測試結(jié)果提出了一

種簡便的硅美壓變送果的靜壓誤美補償方法?？梢詫罄m(xù)生產(chǎn)的同一刑號的硅美壓變送果講行靜壓誤美補償，達到節(jié)省生產(chǎn)時間，節(jié)約生

產(chǎn)成本，提高硅差壓變送器測量精度的目的。 PILZ皮爾茲差樂變送器的靜樂影響

變送器種類多、接口樣式和連線方式也各不相同。進行測試時，需要人下反復(fù)操作使用多臺儀器和手動記錄數(shù)據(jù)，這給電路板研制和日常

的裝備檢修帶來不便?；谲浖幊膛c硬件接口電路的差壓變送器自動測試系統(tǒng)很好地解決了這個問題，極大地提高了差壓變送器的功能

測試和故障定位的效率，目具有較好的通用性和擴展性