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高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐在鋰離子電池域應用進展

來源:QUANTUM量子科學儀器貿(mào)易(北京)有限公司   2021年03月08日 09:35  

       鋰離子電池由于具有能量密度高、壽命長、充電快、安全可靠、綠色環(huán)保等諸多異性能,與當今人民的日常生活已密不可分,在手機、電腦、電動車、電動汽車、航空航天等域均有廣泛的應用。

 

       其中,Li2FeSiO4作為新代鋰離子電池陰材料,由于具有價格低廉、環(huán)境友好、安全性好等勢,在大型動力鋰離子電池應用方面具有良好的前景。然而,Li2FeSiO4材料在不同溫度具有不同的結(jié)構(gòu)相(∼ 400 °C :Pmn21, , ∼ 700 °C :P121/n1, and ∼ 900 °C :Pmnb),因此,研究其不同結(jié)構(gòu)的電化學性質(zhì)對于進步對其進行改性研究尤為重要。

 

       Waldemar Hergetta等人[1]采用高壓光學浮區(qū)法獲得了高溫相(Pmnb)Li2FeSiO4單晶,并研究了晶體生長工藝參數(shù)對雜相的影響,相關結(jié)果已發(fā)表在Journal of Crystal Growth。作者所采用的高壓光學浮區(qū)爐為德國SciDre公司的HKZ高壓光學浮區(qū)法單晶爐

 

溫度梯度分布[1]

 

XRD圖譜及晶體實物圖片[1]

 

       德國SciDre公司推出的HKZ高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐可實現(xiàn)3000℃及以上的生長溫度,晶體生長腔大壓力可達300 bar,可實現(xiàn)10-5 mbar的高真空環(huán)境,適用于生長各種超導材料、介電材料、磁性材料、電池材料等各種氧化物及金屬間化合物單晶生長。

 

德國SciDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)爐外觀圖

 

參考文獻:

[1]. Waldemar Hergett, Christoph Neef, Hans-Peter Meyer, Rüdiger Klingeler, Challenges in the crystal growth of Li2FeSiO4, Journal of Crystal Growth, Volume 556, 2021, 125995,ISSN 0022-0248, https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125995.

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