萬(wàn)睿視VAREX非晶硅平板探測(cè)器DR和非晶硒的區(qū)別

1、結(jié)構(gòu)不同。非晶硅平板探測(cè)器的結(jié)構(gòu)主要是由閃爍體和感光體(具有光電二極管作用的非晶硅層)集成在一起再加TFT陣列構(gòu)成;非晶硒平板探測(cè)器的結(jié)構(gòu)主要是由非晶硒層加TFT陣列構(gòu)成。

2、A/D轉(zhuǎn)換原理不同。非晶硅原理是閃爍體經(jīng)X射線曝光后，將X射線光子轉(zhuǎn)換為可見光，而后由具有光電二極管作用的非晶硅層變?yōu)閳D像電信號(hào)，通過(guò)TFT檢測(cè)陣列，再經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換終獲得數(shù)字化圖像；非晶硒原理是非晶硒層經(jīng)X射線曝光后直接產(chǎn)生e799bee5baa6e79fa5e98193e58685e5aeb931333431363036電信號(hào)，通過(guò)TFT檢測(cè)陣列，再經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換終獲得數(shù)字化圖像。

3、熒光材料層和探測(cè)元陣列層的不同。非晶硒平板探測(cè)器要比非晶硅平板探測(cè)器在圖像質(zhì)量上更清晰，銳利度更好。

4、非晶硒平板探測(cè)器在使用過(guò)程中對(duì)工作環(huán)境要求非常高，壽命短，故障率高，而且維護(hù)成本遠(yuǎn)大于非晶硅平板探測(cè)器，因此目前市場(chǎng)上平板探測(cè)器以非晶硅平板占主導(dǎo)位置。

平板主要是非晶硅平板探測(cè)器和非晶硒平板探測(cè)器，非晶硅是間接成像，技術(shù)成熟，GPS都在用。非晶硒是真正意義上的直接成像，那這兩者所區(qū)別。

平板探測(cè)器構(gòu)成的DR主要分為兩種:一種是非晶硅平板探測(cè)器,屬于間接能量轉(zhuǎn)；另一種是非晶硒平板探測(cè)器,屬于直接能量轉(zhuǎn)換方式。

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