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TH-20KW-多晶硅超聲波清洗機(jī)
- 發(fā)布日期：
- 有效日期：
- 所 在 地：
- 產(chǎn) 地：
- 已獲點(diǎn)擊：
- 2024年10月1日
- 2025年4月1日
- 山東濟(jì)寧市
- 濟(jì)寧
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【產(chǎn)品簡(jiǎn)介】
2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。
3、自動(dòng)上下料臺(tái)，準(zhǔn)確上卸工件。
4、凈化烘干槽，*的烘干前處理技術(shù)，工作干燥無(wú)水漬。
5、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。
6、具備拋動(dòng)清洗功能，保證清洗均勻。
【詳細(xì)說(shuō)明】
多晶硅超聲波清洗機(jī)產(chǎn)品介紹 1、機(jī)械手或多機(jī)械手組合，實(shí)現(xiàn)工位工藝要求。
2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。
3、自動(dòng)上下料臺(tái)，準(zhǔn)確上卸工件。
4、凈化烘干槽，*的烘干前處理技術(shù)，工作干燥無(wú)水漬。
5、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。
6、具備拋動(dòng)清洗功能，保證清洗均勻。
多晶硅超聲波清洗機(jī)技術(shù)參數(shù) 超聲波功率：10.2KW 超聲波頻率：40K/80KHZ 換能器數(shù)量：200個(gè) 電源電壓：三相五線380V應(yīng)用范圍 多晶硅超聲波清洗加工設(shè)備，可廣泛用于IC生產(chǎn)及半導(dǎo)體元器 件生產(chǎn)中晶片的濕法化學(xué)工藝。該設(shè)備可有效去除晶片表面的 有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器 皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。 爐前（RCA）清洗：擴(kuò)散前清洗 光刻后清洗：除去光刻膠。 氧化前自動(dòng)清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。 拋光后自動(dòng)清洗：除去切、磨、拋的沾污。 外延前清洗：除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。 合 金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質(zhì)及光膠殘?jiān)ｋx子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗：除去預(yù)淀積時(shí)的BSG和PSG。CVD后清洗：除去CVD過(guò)程中的顆粒。附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。