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中級(jí)會(huì)員 | 第3年

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愛安德分享半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應(yīng)用

時(shí)間：2024/8/30閱讀：253
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愛安德分享半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應(yīng)用

半導(dǎo)體曝光裝置用于包含MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）、FET（場效應(yīng)晶體管）等半導(dǎo)體元件的IC（集成電路）的制造工序中的曝光工序。

在IC制造過程中，在硅晶片上依次重復(fù)光刻和蝕刻循環(huán)，并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預(yù)定圖案的過程中，半導(dǎo)體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此，它已經(jīng) .例如，在n型MOS（NMOS）的情況下，在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬，并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型（n+型）MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工序S6)。

半導(dǎo)體曝光設(shè)備

其中，曝光工序(S3)使用半導(dǎo)體曝光裝置來進(jìn)行。根據(jù)電路圖案的尺寸和半導(dǎo)體元件的精度，使用不同的曝光設(shè)備波長。


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