308擴(kuò)散硅壓力變送器定義

    硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應(yīng)變時(shí)(一般步于400微應(yīng)變)，其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能級(jí)狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致其電阻率劇烈變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現(xiàn)極大變化，這種物理效應(yīng)稱為壓阻效應(yīng)。利用壓阻效應(yīng)原理，采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴(kuò)散，沿單晶硅片上的特點(diǎn)晶向，制成應(yīng)變電阻，構(gòu)成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學(xué)特性，在同一切硅材料上進(jìn)行各向異性微加工，就制成了一個(gè)集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體的擴(kuò)散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關(guān)部件，使之輸出一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)，就組成了一臺(tái)完整的壓力變送器。

308擴(kuò)散硅壓力變送器概述

采用具有國際先金技術(shù)進(jìn)口傳感器，再配以高精密電子元件，經(jīng)嚴(yán)格要求的工藝過程裝配而成。它與使用的常規(guī)壓力變送器相比。有兩個(gè)顯著不同的技術(shù)差別：一是測量元件采用新興的高精密陶瓷材料；二是測量元件內(nèi)無中介液體，是固體的。

具有工作可靠、性能穩(wěn)定、安裝使用方便、體積小、重量輕、性能價(jià)格比高等點(diǎn)，能在各種正負(fù)壓力測量中得到廣泛應(yīng)用。采用進(jìn)口擴(kuò)散硅或陶瓷芯體作為壓力檢測元件，傳感器信號(hào)經(jīng)高性能電子放大器轉(zhuǎn)換成0-10mA或4-20mA統(tǒng)一輸出信號(hào)?？商娲鷤鹘y(tǒng)的遠(yuǎn)傳變送器，霍爾元件、差動(dòng)變送器，而且具備DDZ-Ⅱ及DDZ-Ⅲ型變送器性能。能與各種型號(hào)的動(dòng)圈式指示儀、數(shù)字變送器、電子電位差計(jì)配套使用，也能與各種自動(dòng)調(diào)節(jié)系統(tǒng)或計(jì)算機(jī)系統(tǒng)配套使用。

工作原理

被測介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上，使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測這一變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對應(yīng)于這一壓力的標(biāo)準(zhǔn)測量信號(hào)。

技術(shù)指標(biāo)
  精度等級(jí)：0.25級(jí)基本誤差±0.25%
  非線性誤：0.3級(jí)≤±0.3%FS
  滯后誤差： ≤±0.3%FS
輸出特性：
①0-10mA輸出，負(fù)載電阻0-1.5KΩ
②4-20mA輸出，負(fù)載電阻0-600Ω
③恒流輸出內(nèi)阻大于10MΩ
④二線制4-20mA輸出：標(biāo)準(zhǔn)供電DC24V
防爆標(biāo)志：（RPT-Ⅲ）：Exia Ⅱ CT4-6

選型表

相關(guān)產(chǎn)品：電容式液位計(jì)、智能壓力變送器、小巧型壓力變送器、