CGS1218單晶爐的特點是其擁有一個組合式爐室，并允許在同樣的熱工條件下改變加料量。該系統(tǒng)可裝載 32 – 36英寸熱場，并配有交互式軟件系統(tǒng)控制的單個或雙攝像頭。

產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽:

最大晶棒直徑： 12- 18英寸

晶棒長度： 最大2,100 毫米

裝料容量 300公斤-450公斤

熱場 32 – 36英寸

該晶體生長系統(tǒng)作為半導體行業(yè)的重要組成部分具有以下特點：

精確性：通過精密儀器制造的驅動單元夠實現(xiàn)可重復的工藝控制并生產(chǎn)出最佳品質的晶體。

堅固性：爐體部件由高質量的不銹鋼制成，其內表面經(jīng)過高精度拋光，以便達到耐用性和潔凈等級方面的最高要求。

安全性：高度的自動化和額為增設的安全系統(tǒng)可以確保在先進的生產(chǎn)環(huán)境中使用。

定制化：憑借多年的開發(fā)經(jīng)驗、專業(yè)知識以及提供多種部件更換和組合方式，PVA晶體生長系統(tǒng)根據(jù)不同客戶的特定需求提供最佳解決方案。

支持與服務：您可以通過直接聯(lián)系PVA晶體生長系統(tǒng)專家進行“點對點"的溝通，獲得系統(tǒng)的備件服務以及系統(tǒng)的調整和優(yōu)化服務。

偶然將籽晶意外浸入熔融錫中，無意間發(fā)現(xiàn)了目前微電子領域中最重要的晶體生長工藝，該工藝是實現(xiàn)工業(yè)、科學和社會的快速數(shù)字化轉型的基礎。柴可拉斯基法（直拉法）以揚·柴可拉斯基的名字來命名，該技術為工業(yè)化生產(chǎn)而開發(fā)，目前用于生產(chǎn)直徑達300毫米、重量為500公斤的硅晶體。為此，當溫度達到大約1410℃時，高純硅作為半導體材料會在石英坩堝中熔化，并通過控制程序，按照工藝要求將單晶硅錠從熔體中拉出。