1 產(chǎn)品概述：
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)（Molecular Beam Epitaxy, MBE）是一種先進(jìn)的薄膜生長技術(shù)，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該系統(tǒng)在超高真空環(huán)境中工作，通過精確控制分子束的噴射和沉積過程，在單晶基片上生長出高質(zhì)量、均勻性好的外延薄膜。MBE系統(tǒng)通常由多個源爐、基片加熱臺、真空腔室、樣品傳遞機(jī)構(gòu)以及精密的控制系統(tǒng)組成。
2 設(shè)備用途：
半導(dǎo)體材料研究：MBE系統(tǒng)可用于制備高質(zhì)量的半導(dǎo)體外延層，如硅、鍺及其化合物半導(dǎo)體等，對于研究半導(dǎo)體材料的物理性質(zhì)、電子結(jié)構(gòu)以及開發(fā)新型半導(dǎo)體器件具有重要意義。
光電子器件制造：在光電子器件（如激光器、光電探測器等）的制造過程中，MBE系統(tǒng)可用于生長具有特定光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)的外延層，提高器件的性能和穩(wěn)定性。
微納電子學(xué)：MBE技術(shù)還可用于制備納米結(jié)構(gòu)材料，如量子點、量子阱等，為微納電子學(xué)的發(fā)展提供重要的材料基礎(chǔ)。
材料科學(xué)研究：MBE系統(tǒng)可用于研究材料生長過程中的動力學(xué)、熱力學(xué)以及界面反應(yīng)等機(jī)制，推動材料科學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展。
3. 設(shè)備特點
1、超高真空環(huán)境：MBE系統(tǒng)工作在超高真空環(huán)境中，通常要求基礎(chǔ)真空度達(dá)到1.0×10^(-10) Torr或更低，以確保分子束的純凈度和外延薄膜的質(zhì)量。
2、精確控制：MBE系統(tǒng)能夠精確控制分子束的噴射速率、沉積溫度、沉積時間等參數(shù)，從而實現(xiàn)對外延薄膜厚度、成分和結(jié)構(gòu)的精確控制。
3、高質(zhì)量外延薄膜：由于MBE系統(tǒng)的工作環(huán)境和控制精度，其生長的外延薄膜具有質(zhì)量、均勻性和低的缺陷密度，適用于制備高性能的電子和光電子器件。
4、綜上所述，半自動雙軸減薄機(jī)以其高精度、雙軸研削單元、自動厚度測量和補(bǔ)償系統(tǒng)、定制化工作臺、操作靈活以及良好的兼容性等特點，在半導(dǎo)體制造、硅片加工、光學(xué)材料處理及薄膜材料制備等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。
4 設(shè)備參數(shù)：
缺陷密度 | ≤ 50 /cm2 |
厚度均勻性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX） | ± 1.5% |
成分均勻性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX） | ± 1.5% |
厚度均勻性 （AlAs/GaAs）SL （DDX） | ± 1.5% |
Si摻雜標(biāo)準(zhǔn)差均勻性 | < 3% |
諧振器的FP-Dip均勻性 | 3納米 |
背景載流子密度 | 7×1014厘米-3 |
HEMT 電子遷移率 | 6000 平方厘米伏-1 平方@RT |
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 8000
厚度均勻性 InGaAs/GaAs 在 8×6'' 壓板上超晶格厚度298? +/- 2?
諧振器晶圓在 8×6 英寸壓板上的 Fabry-Perot 浸漬均勻性波長變化<3nm
電子遷移率 – 標(biāo)準(zhǔn)基氮化鎵 HEMT電子遷移率 @ 77K178 000 cm2V-1 s-1
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