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深圳市矢量科學儀器有限公司

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8英寸離子束沉積(IBD)設備

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號Ganister™ A 系列

品牌魯汶

廠商性質經(jīng)銷商

所在地徐州市

更新時間:2024-09-04 16:37:11瀏覽次數(shù):351次

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Ganister™ A離子束沉積設備,是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品,在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應用。該設備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉靶材基座,更可處理多達四種靶材。選配的輔助離子源,可以實現(xiàn)原位預清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ A的輔助離子源也可進行離子束刻蝕,一個腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝,顯著提高

1. 產(chǎn)品概述

Ganister™ A離子束沉積設備,是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品,在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應用。該設備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉靶材基座,更可處理多達四種靶材。選配的輔助離子源,可以實現(xiàn)原位預清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ A的輔助離子源也可進行離子束刻蝕,一個腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝,顯著提高了該設備的功能。

2. 系統(tǒng)特性

在低溫、超低壓工藝模式下,形成高致密優(yōu)質膜層

雙離子源結構(濺射+輔助離子源),輔助源用于清洗與輔助濺射

可高精度控制沉積過程,并能保障批次間的膜層重復性

實時光控設備,用來監(jiān)控、分析、調整膜層光譜

選配:可在一個腔室內(nèi)同時實現(xiàn)IBD和離子束刻蝕(IBE)功能

適用于8英寸晶圓



濺射系統(tǒng)

iTops PVD AlN 濺射系統(tǒng),采用托盤形式,可兼容 2/4/6

卷對卷薄膜濺射系統(tǒng)

卷對卷薄膜濺射系統(tǒng)裝置在真空狀態(tài)中對PET Film,以ITO或Met

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