產(chǎn)品概述：
系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。
本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。
設(shè)備用途：
PECVD即是化學(xué)氣相沉積法，是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法?；瘜W(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來(lái)的制備無(wú)機(jī)材料的新技術(shù)?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過(guò)氣相摻雜的淀積過(guò)程精確控制。化學(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域，PCEVD是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積英文的各個(gè)詞字母的字母。
真空室結(jié)構(gòu):
圓筒形上升蓋
真空室尺寸:
φ400x300mm
極限真空度:
≤6.67E-5Pa
沉積源:
設(shè)計(jì)待定
樣品尺寸，溫度:
φ4英寸，1片，最高600℃
占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:
約2.6米x1.6米x1.8米
電控描述:
全自動(dòng)
工藝:
特色參數(shù) :
化工儀器網(wǎng)