主要功能與優(yōu)勢
高密度等離子體
SENTECH SI 500 D ICPECVD系統具有的等離子體性能，如介電膜的高密度、低離子能量和低壓等離子體沉積，以及鈍化層的低損傷、低溫沉積。
低應力 ICPECVD
SiN低應力ICPECVDx如GaN HEMT鈍化和SiOx用于溝槽填充，具有出色的均勻性和可重復性，適用于射頻和功率器件、光子學等應用中的系統。
SENTECH專有的等離子體源技術
SENTECH 平面三重螺旋天線 （PTSA） 源是我們 ICP 工藝系統的功能。PTSA 源產生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于高質量和低損傷的 SiO ICPECVD 沉積2四3N4、a-Si、SiC、DLC 和摻雜層。
沉積層的出色性能
低蝕刻速率、高擊穿電壓、低應力、無基板損傷以及極低的界面態(tài)密度，沉積溫度低于 100 °C，使沉積膜具有出色的性能。
動態(tài)溫度控制
等離子體沉積過程中的襯底溫度設置和穩(wěn)定性是高質量蝕刻的苛刻標準。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦 （He） 背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結合，可提供高質量的層，即使在低溫下也能沉積。
SENTECH SI 500 D ICPECVD 系統代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理在研究和工業(yè)中等離子體增強化學氣相沉積介電薄膜、非晶硅、SiC 和其他材料的
優(yōu)勢。該系統包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態(tài)溫控基板電極和一個受控的真空系統。從100 mm晶圓到直徑200 mm的各種基板，以及載體上的基板，都可以通過SENTECH SI 500 D內置的靈活負載鎖來處理。單晶圓真空負載鎖定和機械夾緊保證了穩(wěn)定的條件，并允許直接切換工藝。
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