1. 產(chǎn)品概述：

MCF 的化學機械拋光機 CMP 是一種用于半導體制造等領域的關鍵設備，主要通過機械研磨和化學液體溶解 “腐蝕" 的綜合作用，對半導體材料（如晶圓）進行研磨拋光，以實現(xiàn)材料表面的平坦化處理，為后續(xù)的半導體器件制造工序（如光刻、蝕刻等）提供高質(zhì)量的平整表面。

2. 設備應用：

· 半導體集成電路制造：在半導體芯片的生產(chǎn)過程中，用于對晶圓進行平坦化拋光，確保晶圓表面的平整度和光潔度，滿足芯片制造中對多層結(jié)構(gòu)和精細線路的要求，例如在邏輯芯片、存儲芯片等的制造中，CMP 是實現(xiàn)高性能芯片的重要工藝環(huán)節(jié)。

· 其他電子元件制造：對于一些對表面平整度要求較高的電子元件，如光電器件、MEMS 器件等，該化學機械拋光機也可用于其制造過程中的表面處理，提升元件的性能和可靠性。

3. 設備特點：

1. 該化學機械拋光機可用于各類半導體集成電路、氧化物、金屬、STI、SOI等產(chǎn)品的CMP平坦化拋光。 通過更換拋光頭可兼容4、6、8英寸晶圓

2. 系統(tǒng)功能：手動上下片，程序自動進行拋光，配有終點監(jiān)測裝置，配置半自動loading & unloading托盤系統(tǒng)，8寸規(guī)格，方便8寸晶圓上下片

3. 拋光數(shù)據(jù)監(jiān)測：具有摩擦力監(jiān)測功能

4. 配備紅外溫度計實時監(jiān)測拋光過程中拋光墊表面溫度

4. 產(chǎn)品參數(shù)：

1. 拋光盤直徑≥20inch(508mm) 轉(zhuǎn)速范圍：30-200rpm

2. 拋光頭wafer加壓方式：氣囊加壓，帶有背壓功能

3. wafer壓力控制范圍：70-500g/cm2

4. 保持環(huán)壓力控制范圍：70-700g/cm2

5. 拋光頭轉(zhuǎn)速范圍：30-200rpm 擺動幅度：±10mm

6. 拋光液供應系統(tǒng)：3個可調(diào)流量蠕動泵供液，3路獨立的拋光液通道，滴液位置可調(diào)

7. 配置摩擦力&溫度終點監(jiān)控系統(tǒng)：含專用監(jiān)測軟件，帶有End point detection功能

8. 控制系統(tǒng)：PC工控機控制，觸摸屏操作，可存儲20個加工程序，加工程序最多可設6個不同加工階段

9. 均勻性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)

片內(nèi)非均勻性WIWNU≤5%

片間非均勻性WTWNU≤5%

實際參數(shù)可能會因設備的具體配置和定制需求而有所不同。