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貨物所在地:四川綿陽市
所在地: 經(jīng)開區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園
更新時間:2024-12-04 14:44:24
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簡介
具備支持暗光(Dark)型能力,功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片,具有百納秒級的響應(yīng)速度,八通道單片集成,功耗低,滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個數(shù)量級,達到100ns級,使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外,其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求,集成度有助于大幅度減小模塊尺寸,純固態(tài)波導(dǎo)芯片使其具備可靠性。
特性 應(yīng)用
100ns級高速響應(yīng) 通道間光功率均衡或阻塞
多至48通道單片集成 模擬信號調(diào)制
全固態(tài)波導(dǎo)芯片
超低光損耗
主要指標(biāo)(典型值)
性能指標(biāo) | 單位 | 吸收型 | 備注 |
工作波長 | nm | 1525~1565 | |
響應(yīng)時間 | ns | 100-300 | |
插入損耗 | dB | 1.2 | 光纖進到光纖出的損耗 |
衰減范圍 | dB | 25 | |
偏振相關(guān)性 | dB | ≤0.3 | @0dB衰減時 |
≤0.5 | @0~25dB衰減時 | ||
功耗(@18dB衰減) | mW | 150 | 隨衰減量增大而增大 |
電壓 | V | 1.2 | |
電流 | mA | 0-35 | |
集成度 | / | 6CH/48CH |
1. 光衰減器: 機械式光衰減器(單模/保偏)、MEMS光衰減器(單模/保偏)、mini mems光衰減器(單模/保偏)、臺式光衰減器(單模/保偏可定制多通道)、模塊式光衰減器(單模/保偏)、手持式光衰減、光波導(dǎo)高速可調(diào)陣列光衰減器(6、48通道)
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)