目錄:廈門韞茂科技有限公司>>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>>原子層沉積設(shè)備>> QBT-T等離子體原子層沉積
價(jià)格區(qū)間 | 100萬-200萬 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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一、核心參數(shù):
價(jià)格區(qū)間:100萬-200萬
產(chǎn)地類別:國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)
襯底尺寸:6寸
工藝溫度:RT-300℃
前驅(qū)體數(shù):最大可包括3組等離子體反應(yīng)氣體,8組液體或固體反應(yīng)前驅(qū)體
重量:300KG
尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm
均勻性:99%
二、原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。
三、產(chǎn)品描述:
廈門韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)(QBT-T),設(shè)備采用雙腔體設(shè)計(jì),腔體之間可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立控制,雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的設(shè)計(jì),使設(shè)備可以在平片上實(shí)現(xiàn)等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝,設(shè)備配有獨(dú)立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng),保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動溫度控制閥、工業(yè)級安全控制,以及現(xiàn)場RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設(shè)計(jì)選項(xiàng)。是*能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導(dǎo)體領(lǐng)域研究與應(yīng)用的最佳研發(fā)工具之一。
四、廈門韞茂科技有限公司為您提供雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)QBT-T的參數(shù)、價(jià)格、型號、原理等信息,QBT-T產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂,型號為QBT-T,價(jià)格為100萬-200萬RMB,更多相關(guān)信息可咨詢,公司客服電話7*24小時(shí)為您服務(wù)。
五、技術(shù)參數(shù):
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