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　　濺射比蒸鍍和工作真空低一個(gè)數(shù)量級,所以膜層的含氣量要比蒸鍍高。

　　蒸鍍不適用于高溶點(diǎn)材料,如鉬,鎢。因?yàn)槿茳c(diǎn)高,蒸發(fā)太慢,而濺射的速度比蒸鍍快很多。

　　濺射不適用于低硬度材料,如非金屬材料。

　　濺射不適用于非導(dǎo)電材料。

　　蒸鍍不能控制厚度,而濺射可以用時(shí)間控制厚度。

　　蒸鍍不適應(yīng)大規(guī)模的生產(chǎn)。

　　蒸鍍的電子動(dòng)能比濺射小很多,雖然含氣量少,但是膜層易脫落。

　　濺射的膜均勻,蒸鍍的膜中心點(diǎn)厚,四周薄。

　　在國內(nèi)蒸鍍工藝比濺射工藝成熟。

　　真空蒸鍍，簡稱蒸鍍，是指在真空條件下，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法。蒸鍍是使用較早、用途較廣泛的氣相沉積技術(shù)，具有成膜方法簡單、薄膜純度和致密性高、膜結(jié)構(gòu)和性能等優(yōu)點(diǎn)。

　　蒸鍍的物理過程包括：沉積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸發(fā)源向基片表面輸送→氣態(tài)粒子附著在基片表面形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構(gòu)或產(chǎn)生化學(xué)鍵合。

　　將基片放入真空室內(nèi)，以電阻、電子束、激光等方法加熱膜料，使膜料蒸發(fā)或升華，氣化為具有一定能量（0.1～0.3eV）的粒子（原子、分子或原子團(tuán)）。氣態(tài)粒子以基本無碰撞的直線運(yùn)動(dòng)飛速傳送至基片，到達(dá)基片表面的粒子一部分被反射，另一部分吸附在基片上并發(fā)生表面擴(kuò)散，沉積原子之間產(chǎn)生二維碰撞，形成簇團(tuán)，有的可能在表面短時(shí)停留后又蒸發(fā)。粒子簇團(tuán)不斷地與擴(kuò)散粒子相碰撞，或吸附單粒子，或放出單粒子。此過程反復(fù)進(jìn)行，當(dāng)聚集的粒子數(shù)超過某一臨界值時(shí)就變?yōu)榉€(wěn)定的核，再繼續(xù)吸附擴(kuò)散粒子而逐步長大，最終通過相鄰穩(wěn)定核的接觸、合并，形成連續(xù)薄膜。膜方法簡單、薄膜純度和致密性高、膜結(jié)構(gòu)和性能等優(yōu)點(diǎn)。