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　　主要功能

　　具有熱ALD沉積氧化物、氮化物、貴金屬等薄膜材料的功能；具備未來等離子體增強ALD、Loadlock單元擴展功能。

　　應用

　　原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度、成份和結(jié)構(gòu)）

　　原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱為原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子層沉積是在一個加熱反應器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體物種，化學吸附的過程直至表面飽和時就自動終止，適當?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。

　　目前可以沉積的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金屬，碳化物，復合結(jié)構(gòu)，硫化物，納米薄層等。中空納米管，隧道勢壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，微機電系統(tǒng)（MEMS）的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層，納米晶體，ZnSe涂層，納米結(jié)構(gòu)，中空納米碗，存儲硅量子點涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層，納米線的涂層。

　　上述領(lǐng)域并不代表原子層沉積技術(shù)的所有可能應用領(lǐng)域，隨著科技的發(fā)展在不遠的將來將會發(fā)現(xiàn)其越來越多的應用。根據(jù)該技術(shù)的反應原理特征，各類不同的材料都可以沉積出來。已經(jīng)沉積的材料包括金屬、氧化物、碳（氮、硫、硅）化物、各類半導體材料和超導材料等?，F(xiàn)在原子層沉積系統(tǒng)有國際品牌和自主品牌兩類。在國外品牌以劍橋（cambridge）最為悠久，全球銷售量幾百臺。其次以芬蘭的BENEQ和picosun，在g端ALD領(lǐng)域投入大量研發(fā)工作。近幾年，在國內(nèi)已經(jīng)有幾家設(shè)備公司先后完成研發(fā)，在市場上推出自己的機型。