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在 CPU 設(shè)備組態(tài)的屬性里選擇了“允許通過用戶程序重新組態(tài)設(shè)備"。而 WRREC 指令在啟動 OB 中傳送完控制數(shù)據(jù)記錄后組態(tài)控制才會生效。如果已啟用組態(tài)控制但 CPU 不具有控制數(shù)據(jù)記錄，則在退出 STARTUP 模式時會轉(zhuǎn)到 STOP 模式。
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
西門子模塊6ES7516-3FN02-0AB0
操作模式
ULTRAMAT 通道
ULTRAMAT 通道采用交變紅外雙光束原理并使用雙層檢測器和光耦合器來測量氣體。
測量原理基于氣體分子具有特定的紅外光吸收波段。不同氣體有各自的特征吸收波長，但可能有部分重疊。這樣，通過以下方式把交叉靈敏性降到了：
濾波氣室（分光器）
帶有光耦合器的雙層檢測氣室
必要時可使用特殊濾光片
右圖出示了紅外通道的測量原理。加熱到大約 700 °C 且為了平衡系統(tǒng)而能夠移動的一個紅外光源 (1) 通過分光器 (3) 分為兩個相等的光束（樣氣光束和參比光束）。紅外光源可左右移動以平衡光路系統(tǒng)。
參比光束通過充滿 N2（非吸收紅外光氣體）的參比氣室（8），然后未經(jīng)衰減地到達右側(cè)檢測器（11）。樣氣束會通過樣本室（7），然后流到檢測器（10）左側(cè)，根據(jù)樣氣的濃度不同有或多或少的衰減。檢測氣室內(nèi)充滿了特定濃度的待測氣體組分。
檢測器被設(shè)計成雙層結(jié)構(gòu)。譜吸收波段的中間位置的光優(yōu)先被上層檢測氣室吸收，邊緣波段的光幾乎同樣程度地被上層檢測氣室和下層檢測氣室吸收。上層檢測氣室和下層檢測氣室通過微流量傳感器（12）連接在一起。這種耦合意味著吸收光譜的帶寬很窄。
光耦合器（13）延長了下層檢測氣室的光程長度。改變滑動調(diào)節(jié)件（14）的位置，可以改變下層檢測氣室的紅外吸收。因此，最大限度減少某個干擾組分的影響是可能的。
斷束器（5）在射束分離器和樣本室之間旋轉(zhuǎn)，并周期性的交替中斷兩個氣體射束。如果在樣本室中發(fā)生吸收，就會在兩個檢測器電平間產(chǎn)生脈動流，并由微流量傳感器（12）轉(zhuǎn)換成電氣信號。
微流量傳感器中有兩個被加熱到大約 120 °C 的鍍鎳格柵，這兩個鍍鎳格柵和兩個電阻形成惠斯通電橋。脈動氣流與鎳格柵的稠密分布一起引起了格柵電阻變化。這回導致橋路中的偏移，偏移量取決于樣氣的濃度。
注
進入到分析儀的樣氣必須不含灰塵。必須防止樣品室中發(fā)生冷凝。因此，大多數(shù)應用中有必要對氣體進行改性。
在分析儀所處的環(huán)境空氣中不含有高濃度的被測組分。
流動型參比氣室，帶限流，不適用于有毒氣體。
流量降低且 O2 含量 > 70% 的流動式基準面僅可與 Y02 一起使用。
具有電子校正零點的通道與標準版的區(qū)別只是量程的參數(shù)化不同。
作為特殊應用，可以提供物理校正零點。
ULTRAMAT 通道，工作原理
OXYMAT 通道
和絕大多數(shù)氣體相比，氧具有順磁性。OXYMAT 通道正是利用了這一特性來測量氧氣濃度的。
在不均勻磁場中，氧分子由于其順磁性，朝強磁場方向移動。當兩種具有不同氧含量的???體在磁場中相遇時，它們之間會產(chǎn)生壓力差。
OXYMAT 中，這兩種氣體一種 (1) 是參比氣（N2、 O2 或者空氣），另一種是樣氣（5）。參比氣經(jīng)過兩個參比氣通道（3）進入樣氣室（6）。其中一路參比氣在磁場區(qū)域（7）和樣氣相遇。由于兩個通道是相連的，與氧含量成正比的壓力會引起交叉流動。微流量傳感器（4）將該氣流脈動轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘枴?/p>
微流量傳感器中有兩個被加熱到大約 120 °C 的鍍鎳格柵，這兩個鍍鎳格柵和兩個電阻形成惠斯通電橋。脈動氣流使鎳格柵的電阻發(fā)生變化。這導致了電橋發(fā)生偏移，偏移量取決于樣氣中的氧含量。
微流量傳感器位于參比氣路中，不直接接觸樣氣，所以樣氣的熱導率、溫度和樣氣的內(nèi)部摩擦對測量結(jié)果都不產(chǎn)生任何影響。由于微流量傳感器不會受到樣氣的直接影響，所以該設(shè)備還具有高度的抗腐蝕性。
通過使用強度交變的電場（8），微流量傳感器不會檢測背景氣流，因此測量與儀器的工作位置無關(guān)。
樣本室直接處于樣氣路徑上，且容量很小，同時微流量傳感器是一個低延遲傳感器。這使得儀器的響應時間非常短。
由于在測量地點存在振動并可能因此產(chǎn)生測量誤差（噪音）。所以可額外增加一個傳感器（10）作為振動補償傳感器。該傳感器中不通過氣體。其信號可用來對測量結(jié)果進行補償。
如果樣氣與參比氣的密度偏差超過參比氣密度的 50%，則補償微流量傳感器 (10) 也需要像測量傳感器 (4)（選件）一樣由參比氣吹掃。
注
進入到分析儀的樣氣必須不含灰塵。必須防止樣品室中發(fā)生冷凝。因此，大多數(shù)應用中，測量工作有必要對氣體進行改性。
OXYMAT 通道，工作原理
西門子模塊6ES7516-3FN02-0AB0
SM1231 RTD 模塊未使用通道如何處理？
對于 SM1231 RTD 模塊未使用通道， 可以采用以下方法做處理：
方法一：對該通道短路（短接方法詳見
RTD 信號模塊接線
）；
方法二：對該通道禁用。在模塊的“屬性-常規(guī)"，對測量類型選擇“已禁用"。如下圖 11 所示組態(tài)：
圖 11.禁用 SM1231 RTD 模塊未使用通道
啟動模式設(shè)置
S7-1200 啟動模式可以在“CPU 屬性-常規(guī)-啟動" 進行設(shè)置。如下圖 1 所示：
圖 1. CPU啟動選項設(shè)置
①“上電后啟動"：定義了CPU 上電后的啟動特性，共有以下三個選項，用戶可根據(jù)項目的特點及性來選擇，默認選項為“暖啟動-斷電前的操作模式"：
“不重新啟動（保持為STOP 模式）"：CPU 上電后直接進入STOP 模式；
“暖啟動-RUN模式"：CPU 上電后直接進入RUN模式；
“暖啟動-斷電前的操作模式"：選擇該項后，CPU上電后將按照斷電前該CPU 的RUN模式啟動，即斷電前CPU處于運行模式，則上電后 CPU 依然進入RUN模式；如果斷電前CPU 處于STOP狀態(tài)，則上電后CPU進入STOP模式。
如果在發(fā)生掉電或故障時，CPU 處于 STOP 模式，則 CPU 將在上電時進入 STOP 模式并保持 STOP 模式，直至收到進入 RUN 模式的命令；
如果在發(fā)生掉電或故障時，CPU 處于 RUN 模式，則在未檢測到可禁止 CPU 進入 RUN 模式的條件下，CPU 將在下次上電時進入 RUN 模式。
②“比較預設(shè)與實際組態(tài)"：定義了 S7-1200 PLC站的實際組態(tài)與當前組態(tài)不匹配時的 CPU 啟動特性：
“僅在兼容時，才啟動CPU"：所組態(tài)的模塊與實際模塊匹配（兼容）時，才啟動CPU。
“即便不匹配，也啟動CPU"：所組態(tài)的模塊與實際模塊不匹配（不兼容）時，也啟動CPU。
氣路插圖的圖例 | |||
|---|---|---|---|
1 | 樣氣入口（OXYMAT 通道） | 11 | 限流器（參比氣入口） |
2 | 樣氣出口（OXYMAT 通道） | 12 | O2 物理系統(tǒng) |
3 | 未用 | 13 | 壓力傳感器 |
4 | 參比氣入口 | 14 | 樣氣流路上的壓力開關(guān)（可選） |
5 | 樣氣入口（ULTRAMAT通道） | 15 | 樣氣氣路中的流量指示器（選件） |
6 | 樣氣出口（ULTRAMAT通道） | 16 | 紅外硬件 |
7 | 參比氣體出口（ULTRAMAT通道，可選） | 17 | 過濾器 |
8 | 參比氣入口（ULTRAMAT通道，可選） | 18 | 壓力開關(guān)（參比氣）（選件） |
9 | 吹掃氣體 | 19 | 樣氣流路中的限流器（選件） |
10 | 壓力傳感器接口（ULTRAMAT 通道） | ||
ULTRAMAT/OXYMAT 6，氣路（例如）紅外通道，不帶流動參比氣室
ULTRAMAT/OXYMAT 6，氣路（例如）紅外通道，帶流動參比氣室
注意：
如果選擇了"即便不匹配，也啟動CPU"，此時的用戶程序無常運行，必須采取相應措施！所以要慎重選擇該項。
③ “組態(tài)時間"：在 CPU 啟動過程中，為集中式 I/O 和分布式 I/O分配參數(shù)的時間，包括為 CM 和 CP 提供電壓和通信參數(shù)的時間。如果在設(shè)置的“組態(tài)時間"內(nèi)完成了集中式 I/O 和分布式 I/O的參數(shù)分配，則CPU立刻啟動；如果在設(shè)置的“組態(tài)時間"內(nèi)，集中式 I/O 和分布式 I/O未完成參數(shù)分配，則 CPU 將切換到 RUN 模式，但不會啟動集中式 I/O 和分布式 I/O；
④ “OB應該可中斷"：“OB應該可中斷"后，在OB 運行時，*高**級的中斷可以中斷當前OB,在此OB 處理完后，會繼續(xù)處理被中斷的 OB。如果不“OB應該可中斷"，則**級大于2的任何中斷只可以中斷循環(huán)OB，但**級為2～25的OB不可被*高**級的OB 中斷。
啟動時 CPU 執(zhí)行的操作
啟動特性：
在暖啟動期間，所有非保持性位存儲器內(nèi)容都將并且非保持性數(shù)據(jù)塊內(nèi)容將復位為來自裝載存儲器的起始值。將保留保持性位存儲器和保持性 DB 中的內(nèi)容。