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Electrophysiology Module-腦細胞電生理刺激記錄系統(tǒng)
  • Electrophysiology Module-腦細胞電生理刺激記錄系統(tǒng)

貨物所在地:國外

地: 美國

更新時間:2025-01-30 21:00:07

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腦細胞電生理刺激記錄系統(tǒng)
細胞電刺激、電生理活動記錄、阻抗測量,系統(tǒng)擁有完整的環(huán)境控制功能

腦細胞電生理刺激記錄系統(tǒng)

可拉伸微電極陣列


可拉伸微電極陣列SMEA是一種用于記錄和電------腦切片中神經(jīng)活動的密集微1針陣列,是高密度微1針陣列的設(shè)計、微細加工、電氣特性和生物評估??衫煳㈦姌O陣列可同時記錄和電------腦組織切片中的單個神經(jīng)元。


---切片可以說是蕞接近大腦的體---型,它有一個受損的表面層。由于電生理記錄方法在很大程度上依賴于電極-細胞的接近性,這一層明顯地削弱了信號的振幅,離體細胞電生理記錄系統(tǒng),使得傳統(tǒng)的平面電極不適合使用。為了繞過組織表面滲透到組織中,并記錄和---切片內(nèi)部健康體積的神經(jīng)活動,我們研究開發(fā)了可拉伸微電極陣列。


可拉伸微電極陣列被證明可以記錄---皮層切片中單個神經(jīng)元的細胞外動作電位,信噪比---0000000。對單個神經(jīng)元的電---是以0000000的---閾值實現(xiàn)的。


該可拉伸微電極陣的---之處在于結(jié)合了緊密的針距60微米、---250微米的針高和小5-10微米直徑的電極,允許記錄單體活動。該陣列與特定系統(tǒng)相結(jié)合,形成一個---的電生理工具,允許與---腦片中的神經(jīng)元群體進行雙向的電極-細胞交流。




創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設(shè)備

創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設(shè)備應(yīng)用背景:

創(chuàng)傷性腦損傷(TBI)仍然是導致死1亡和殘疾的主要原因,腦細胞電生理---記錄系統(tǒng),每年影響全近1000萬人,細胞電生理---培養(yǎng)系統(tǒng),美國每年約有170萬人受其影響。


TBI的破壞性行1為和功能后果包括認知損傷、記憶喪失或損傷、意識喪失或下降、運動障礙、昏迷、癲1癇發(fā)作和癲1癇、和死1亡。持續(xù)工作記憶的破壞是TBI---經(jīng)歷的一種---的認知缺陷。


在成年人中,工作記憶和信息存儲的神經(jīng)相關(guān)性可能是循環(huán)網(wǎng)絡(luò)活動,這也與發(fā)育中的大腦中的神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)成熟有關(guān)。在許多情況下,工作記憶缺陷是在沒有細胞死1亡或明顯結(jié)構(gòu)性損傷的情況下出現(xiàn)的,---是在輕度或中度TBI的情況下。


TBI是由腦組織變形引起的,組織應(yīng)變和應(yīng)變率被確定為損傷的重要預測指標。然而,由于直接測量組織變形面臨的挑戰(zhàn),很少有研究表征TBI期間的體內(nèi)組織應(yīng)變和應(yīng)變率。創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設(shè)備研究的體外方法允許精1確控制機械---和細胞外環(huán)境,細胞電生理,以檢查在沒有全身影響的情況下腦實質(zhì)的反應(yīng),同時概括大部分體內(nèi)病理。




細胞、 組織拉伸模塊:對細胞進行牽張---加載

*支持雙軸和單軸拉伸兩種模式

*可快速沖擊損傷拉伸或周期性拉伸

*連續(xù)可調(diào)的牽張率和頻率

*可以偶聯(lián)成像和電生理模塊

*實時生成應(yīng)變曲線徑向,線性, 自定義

*自定義應(yīng)變場

*應(yīng)變速率---80 IS *---SO%的應(yīng)變*任何拉伸圖案

*高重復性

*在培養(yǎng)箱中使用

我們的可拉伸 MEA 與 MEASSURE 系統(tǒng)相結(jié)合。它們增強了研究能力并提供了的多功能性,因為它們?yōu)檠芯咳藛T提供了獨立---化學、電氣和機械因素以更緊密地人體復雜性的方法。

腦細胞電生理---記錄系統(tǒng)-細胞電生理-廠家代理(查看)由世聯(lián)博研北京科技有限公司提供。世聯(lián)博研北京科技有限公司位于北京市昌平區(qū)回龍觀鎮(zhèn)上奧世紀中心2B座6層603。在市場經(jīng)濟的浪潮中拼博和發(fā)展,目---聯(lián)博研在科研儀器儀表中享有---的聲譽。世聯(lián)博研取得---商盟,標志著我們的服務(wù)和管理水平達到了一個新的高度。世聯(lián)博研全體員工愿與各界有識之士共同發(fā)展,共創(chuàng)美好未來。



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