美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準確評估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進眾多領(lǐng)域的藥物測試和組織工程。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經(jīng)信號。

3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項新技術(shù)將推動創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

微裂紋金膜具有多種理想特性：

• 低電阻抗

• 可彈性伸縮

• 低彈性模量

• 低疲勞

• 便宜