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工作波長

λR

850nm

閾值電流

ITH

1

mA

輸出功率

Popt

0.5

1

mW

閾值電壓

UTH

1.8

V

工作電流

IOP

3

mA

Popt =   0.5mW

工作電壓

UOP

3

V

Popt =   0.5 mW

光電轉換率

ηWP

12

%

Popt =   0.5 mW

斜率效能

ηS

0.3

W/A

上升和下降時間

Tr     /Tf

90/120

Psec

微分串聯(lián)電阻

RS

100

200

Ω

Popt =   0.5 mW

3dB   調制帶寬

ν3dB

0.10

2.5

GHz

Popt =   0.5 mW

Due   to   ESD protection diode

相對噪聲強度

RIN

-130

-120

dB/Hz

Popt =   0.3 mW @ 1   GHz

波長電流調諧系數

0.6

nm/mA

波長溫度調諧系數

0.06

nm/K

熱敏電阻(VCSEL chip)

Rthermal

3

5

K/mW

邊模抑制比（SMSR)

35

dB

I   = 2 mA

光束發(fā)散角

θ

10

25

°

Popt =   0.5mW, full width 1/e2

光譜寬度

100

MHz

Popt =   0.5 mW

Tec 電流

mA

-150(Heating)

+300(Cooling)

Proper   Heart Sink Required

NTC 熱敏電阻

KΩ

9.5

10.0

10.5

T=25℃@10 KΩ

NTC 熱敏電阻

KΩ

10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}

存儲溫度

℃

-40

25

125

芯片溫度

℃

+10

25

40

工作電流

mA

0

3.0

5.0

正向電壓

V

0.8

3.0

4.8

TEC 電流

mA

-150

-

+300

焊接溫度*

℃

100

130

260

功耗

mw

-

-

5