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| 參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間：2022-02-14 19:40:16瀏覽次數(shù)：297
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),石油,地礦,電子 |
|---|---|---|---|
| 可測(cè)單晶少子壽命范圍 | 5μS～7000μS |
XNC-LT2型單晶少子壽命測(cè)試儀
XNC-LT2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類(lèi)型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。
本儀器根據(jù)國(guó)際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì)，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。
技 術(shù) 指 標(biāo) ：
測(cè)試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm
可測(cè)單晶少子壽命范圍 5μS～7000μS
配備光源類(lèi)型 波長(zhǎng)：1.09μm；余輝<1 μS；
閃光頻率為：20～30次／秒；
閃光頻率為：20～30次／秒；
高頻振蕩源 用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
前置放大器 放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測(cè)量重復(fù)誤差 <±20％
測(cè)量方式 采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
儀器消耗功率 <25W
儀器工作條件 溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
可測(cè)單晶尺寸 斷面豎測(cè)：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
縱向臥測(cè)：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器 頻寬0—20MHz；
電壓靈敏：10mV／cm；
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