1、HNDL系列大電流發(fā)生器熔斷器試驗(yàn)設(shè)備
    

大電流試驗(yàn)設(shè)備按照使用一般分為以下幾種：

1、單相大電流發(fā)生器

2、三相大電流發(fā)生器

3、智能型全自動(dòng)大電流發(fā)生器

4、溫升大電流發(fā)生器  溫升試驗(yàn)設(shè)備  JP柜溫升試驗(yàn)裝置

5、直流大電流發(fā)生器

6、熔斷器大電流試驗(yàn)裝置
 利用RFID技術(shù)的無源傳感器標(biāo)簽功能元件芯片和傳感器標(biāo)簽幸運(yùn)的是，有多種集成度更高的無源感測(cè)和優(yōu)化選擇。其中有RF430FRL152H，它集成了實(shí)現(xiàn)圖1所示功能所需的所有電路，包括用于連接到模擬傳感器的14位三角積分AD以及可用于連接數(shù)字傳感器的SPI/I2C端口。RF430FRL15xH帶有通過鐵電RAM(FRAM)實(shí)現(xiàn)的2KB非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)現(xiàn)了低功耗、快速讀寫速度、無限次讀/寫耐久性和高電磁抗擾度綜合優(yōu)勢(shì)。

1）基本型 可采用串并聯(lián)，主要于電力系統(tǒng)的一次母線保護(hù)和電流互感器變比等試驗(yàn)，也可以對(duì)電流繼電器及開關(guān)行程時(shí)間、過流速斷、傳動(dòng)等試驗(yàn)進(jìn)行整定。

2）集成型 集電流，時(shí)間，變比，極性于一體 為供電局，電廠現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。

3）瞬沖型  無需預(yù)調(diào)。（熔斷器測(cè)試儀）電流直接輸出額定值。對(duì)負(fù)載自適應(yīng)。用于熔斷器測(cè)試。

4）溫升型  用于開關(guān)柜，母線槽等電器的溫升試驗(yàn) 電子器械產(chǎn)品是與人體生命密切相關(guān)的產(chǎn)品，其人機(jī)界面設(shè)計(jì)比其它工業(yè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)更具有性，應(yīng)該始終以人為中心進(jìn)行設(shè)計(jì)。其人機(jī)界面設(shè)計(jì)主要考慮顯示與控制部分是否合理，能否會(huì)產(chǎn)生誤操作，操作是否方便易行，產(chǎn)品作用于人體時(shí)是否滿足作用部分的生理需求等。病房顯示界面及其輔助器械的交互界面由于使用的處理器處理能力較低，設(shè)計(jì)理念比較滯后，導(dǎo)致使用者在使用屏幕進(jìn)行交互操作時(shí)有一種遲滯的感覺，并且整體界面設(shè)計(jì)給人的感受比較呆板。

功能特點(diǎn)：

1 采用進(jìn)口0.23鐵芯，電效率高鐵心無氣隙，疊裝系數(shù)可高達(dá)95％以上，鐵心磁導(dǎo)率可取1.5～1.8T（疊片式鐵心只能取1.2～1.4T），電效率高達(dá)95％以上，空載電流只有疊片式的10％。

2  采用環(huán)形設(shè)計(jì)。體積小重量輕，環(huán)形變壓器比疊片式變壓器重量可以減輕一半.

　3 磁干擾較小環(huán)形變壓器鐵心沒有氣隙，繞組均勻地繞在環(huán)形的鐵心上，這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了漏磁小，電磁輻射也小，無需另加屏蔽都可以用到高靈敏度高準(zhǔn)度的電子設(shè)備上采用  值得注意的還有新近崛起，由Dialog與Energous合作推動(dòng)的無線電充電技術(shù)WattUp。以下就讓我們來進(jìn)一步了解這些無線充電技術(shù)。利用磁場(chǎng)傳電磁感應(yīng)磁共振雙?；?，磁感應(yīng)技術(shù)可說是較早獲得采用的無線充電技術(shù)。此技術(shù)以磁感應(yīng)進(jìn)行無線方式傳輸電能，主要是通過兩個(gè)線圈之間產(chǎn)生的電感耦合進(jìn)行。發(fā)送線圈內(nèi)的交流電形成震蕩磁場(chǎng)，處于該磁場(chǎng)感應(yīng)范圍內(nèi)的接收線圈發(fā)生電磁感應(yīng)，產(chǎn)生感應(yīng)電流。然而，由于自感、補(bǔ)償架構(gòu)的不同，以及不同線圈搭配產(chǎn)生的不同互感，任何充電線圈之間都不大可能擁有相同的屬性，因此兩塊不同廠家的充電線圈(chargingpad)設(shè)備之間要需要有良好適配。

4  采用0.2級(jí)數(shù)字式真有效值電流表顯示，準(zhǔn)度高。而且無需外附標(biāo)準(zhǔn)CT及其他附件，簡潔直觀。  

5 采用0.2S級(jí)高準(zhǔn)度電流互感器，保證電流信號(hào)的線性度和高準(zhǔn)度輸出.

6 內(nèi)置高準(zhǔn)度毫秒計(jì)。滿足時(shí)間高準(zhǔn)度測(cè)試的需要。           

任何光滑或拋光的金屬物體都可能會(huì)反射紅外輻射，這就可能給監(jiān)測(cè)管道或機(jī)械過熱部件的人帶來困難。但是氧化過的金屬或被涂上冰銅材料的金屬更容易測(cè)量。紅外熱像儀可能永遠(yuǎn)不可以“穿透”金屬物體，但金屬內(nèi)部材料造成的溫差，會(huì)反應(yīng)在金屬表層，這樣用紅外熱像儀查看，同樣可以達(dá)到檢測(cè)效果。用紅外熱像儀很容易看到這些罐子有多滿，因?yàn)槔锩娴囊后w在金屬表面造成溫差熱成像能穿透塑料嗎？我們可以紅外熱像儀做一個(gè)有趣的小實(shí)驗(yàn)：在一個(gè)溫暖的物體或人面前舉起一張薄薄的不透明的塑料片。技術(shù)參數(shù)：                        

輸入電源：AC 220V /380V  50HZ             

電流輸出：0－ 1000A        準(zhǔn)度：0.5或0.2  分辨率：0.01A

電流輸出：1000－ 5000A     準(zhǔn)度：0.5或0.2  分辨率：0.1A

電流輸出：5000－ 10000A    準(zhǔn)度：0.5 或0.2 分辨率：1A

電流輸出：10000－50000A    準(zhǔn)度：0.5 或0.2 分辨率：1A

輸出端開口電壓：≥6V

時(shí)間測(cè)試：0.001S－9999.999S  分辨率：0.001S

熔斷器試驗(yàn)設(shè)備與其他靈敏的SMU相比，4201-SMU和4211-SMU的電容指標(biāo)已經(jīng)提高，這些SMU模塊用于可配置的Model4200A-SCS參數(shù)分析儀，使用Clarius+軟件進(jìn)行交互控制。本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進(jìn)行穩(wěn)定的弱電流測(cè)量的多種應(yīng)用實(shí)例，包括測(cè)試：平板顯示器上的OLED像素器件、長電纜MOSFET傳遞特點(diǎn)、通過開關(guān)矩陣連接的FET、卡盤上的納米FETI-V測(cè)量、電容器泄漏測(cè)量。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。