1151差壓變送器選型另一側拉伸，壓差使電橋失衡，輸出一個與壓力變化對應的信號?；菟沟请姌虻妮敵鲂盘柦涬娐诽幚砗螅串a生與壓力變化成線性關系的4-20mA標準信號輸出。 

對于表壓傳感器，其負腔側通常通大氣，以大氣壓作為參考壓力；對于絕壓傳感器，其負腔側通常為真空室，以決對真空作為參1151差壓變送器選型?  
1151差壓變送器選型導致發(fā)生不可逆轉的測量偏差；當壓差P達到或超過測量硅膜片能承受的ZUI高應力σb后，測量硅膜片破裂，直接導致傳感器損壞。因此，通過阻止或削弱外界的過載壓差P直接傳遞到測量硅膜片上，可以有效保護傳感器的測量精度和壽命。這就引出了對單晶硅芯片進行過載保護設計的問題。 
1151差壓變送器選型當壓力直接或間接的作用在測量膜片的表面，使膜片產生微小的形變，測量膜片上的高精度電路將這個微小的形變變換成為與壓力成正比的電壓信號，經過溫度壓力補償，然后采用芯片將這個電壓信號轉換為工業(yè)標準的4-20mA電流信號或者1-5V電壓信號。

圖3  帶過載保護的差壓傳感器結構示意圖 

如圖4、圖5所示，當有超過差壓測量硅膜片允許工作范圍的差壓出現時，中心隔離移動膜片向低壓一側移動，并使高壓一側的外界隔離膜片和腔室內壁重合，從而使得高壓側硅油全部趕入腔室內，


1151差壓變送器選型樣對于后端的電子電路和軟件較為容易實現信號補償和放大處理。相比于金屬電容式壓力、差壓變送器，單晶硅原理的壓力、差壓變送器的量程比性能非常*，其常用壓力變送器的量程可調比達到了100:1，微差壓變送器的可調量程比達到10:1。經量程壓縮后仍能保持較高的基本精度，大幅拓寬了單晶硅壓力變送器的可調節(jié)范圍，對用戶的應用較為方便和有意義。