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目錄:鄭州科探儀器設(shè)備有限公司>>材料樣品處理>>小型濺射儀>> KT-Z1650CVD高純度金靶材磁控濺射儀

高純度金靶材磁控濺射儀
  • 高純度金靶材磁控濺射儀
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參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 鄭科探
  • 型號 KT-Z1650CVD
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 鄭州市
屬性

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更新時間:2023-12-26 10:52:13瀏覽次數(shù):1383評價

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更多產(chǎn)品
靶材材質(zhì) 金 鉑 銅 銀 靶材尺寸 50mm
產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 1-5萬
濺射氣體 根據(jù)需求氣體 控制方式 觸摸屏智能控制
樣品倉尺寸 φ160x160mm 樣品臺尺寸 φ50mm
應(yīng)用領(lǐng)域 化工,電子
不同的蒸發(fā)速率下沉積300nm的Au薄膜,研究蒸發(fā)速率對薄膜表面形貌和性能的影響。隨著蒸發(fā)速率的提高,薄膜的結(jié)構(gòu)變得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度減小。高純度金靶材磁控濺射儀KT-Z1650PVD在較短時間內(nèi)即可形成具有細(xì)粒度的均勻薄膜,儀器結(jié)構(gòu)緊湊,全自動控制,設(shè)計符合人體工程學(xué)。

高純度金靶材磁控濺射儀

在不同的蒸發(fā)速率下沉積300nmAu薄膜,研究蒸發(fā)速率對薄膜表面形貌和性能的影響。隨著蒸發(fā)速率的提高,薄膜的結(jié)構(gòu)變得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度減小。金薄膜方阻隨著蒸發(fā)速率提高無明顯變化,而方阻均勻性變差,但在可接受的范圍內(nèi)。但蒸發(fā)速率過高會引起金屬大顆粒增多。因此,選用適合的蒸發(fā)速率對Au膜質(zhì)量有很大影響。


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高純度金靶材

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應(yīng)用領(lǐng)域:

離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛,通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象,并提高觀測效率,另外可以使用噴碳附件對樣品進(jìn)行蒸碳,實現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。

高純度金靶材磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù);

控制方式

7寸人機(jī)界面 手動 自動模式切換控制

濺射電源

直流濺射電源

鍍膜功能

0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序

功率

≤1000W

輸出電壓電流

電壓≤1000V  電流≤1A

真空

機(jī)械泵 ≤5Pa(5分鐘)   分子泵≤5*10^-3Pa

濺射真空

≤30Pa

擋板類型

電控

真空腔室

石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm

樣品臺

可旋轉(zhuǎn)φ62  (可安裝φ50基底)

樣品臺轉(zhuǎn)速

8轉(zhuǎn)/分鐘

樣品濺射源調(diào)節(jié)距離

40-105mm

真空測量

皮拉尼真空計(已安裝 測量范圍10E5Pa  1E-1Pa)

預(yù)留真空接口

KF25抽氣口    KF16放氣口   6mm卡套進(jìn)氣口






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